[發明專利]半導體封裝在審
| 申請號: | 201911341610.7 | 申請日: | 2019-12-23 |
| 公開(公告)號: | CN111696965A | 公開(公告)日: | 2020-09-22 |
| 發明(設計)人: | 蔡宗哲;蔡憲洲 | 申請(專利權)人: | 蔡憲聰;蔡憲洲;蔡憲偉;蔡黃燕美 |
| 主分類號: | H01L23/60 | 分類號: | H01L23/60;H01L23/58;H01L25/07 |
| 代理公司: | 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287 | 代理人: | 晏波 |
| 地址: | 中國臺灣新*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 封裝 | ||
1.一種半導體封裝,包含:
一基板,在該基板的一頂表面上至少設置有一高頻芯片,以及易受高頻訊號干擾的一電路元件;
一第一接地環,在該基板的該頂表面上,環繞著該高頻芯片;
一第一金屬柱強化膠體墻,設在該第一接地環上,環繞著該高頻芯片;
一第二接地環,在該基板的該頂表面上,環繞著該電路元件;
一第二金屬柱強化膠體墻,設在該第二接地環上,環繞著該電路元件;
一成型模料,至少覆蓋該高頻芯片及該電路元件;以及
一導電層,設于該成型模料上,并且與該第一金屬柱強化膠體墻及/或該第二金屬柱強化膠體墻接觸,其中該金屬柱強化膠體墻、第二金屬柱強化膠體墻和導電層中的至少一個包括磁性或可磁化填充物,以構成主動電磁兼容屏蔽。
2.如權利要求1所述的半導體封裝,其特征在于,該第一金屬柱強化膠體墻包含復數個第一金屬柱,其中各該復數個第一金屬柱的一端固定在該第一接地環上,另一端則懸空,該復數個第一金屬柱圍繞著該高頻芯片。
3.如權利要求2所述的半導體封裝,其特征在于,該第二金屬柱強化膠體墻包含復數個第二金屬柱,其中各該復數個第二金屬柱的一端固定在該第二接地環上,另一端則懸空,該復數個第二金屬柱圍繞著該電路元件。
4.如權利要求3所述的半導體封裝,其特征在于,該第一金屬柱強化膠體墻或該第二金屬柱強化膠體墻另包含一膠體,附著在該第一或該第二金屬柱的表面上。
5.如權利要求4所述的半導體封裝,其特征在于,該膠體包含熱固性樹脂、熱塑性樹脂或UV固化樹脂。
6.如權利要求4所述的半導體封裝,其特征在于,該膠體系為一導電膠。
7.如權利要求4所述的半導體封裝,其特征在于,該膠體包含有導電顆粒。
8.如權利要求7所述的半導體封裝,其特征在于,該導電顆粒包含銅、銀、金、鋁、鎳、鈀、其任何組合或合金、石墨烯。
9.如權利要求7所述的半導體封裝,其特征在于,該成型模料的組成與該膠體的組成不同。
10.如權利要求3所述的半導體封裝,其特征在于,該成型模料的上表面與該第一及該第二金屬柱強化膠體墻的頂面是齊平的。
11.如權利要求1所述的半導體封裝,其特征在于,該磁性或可磁化填充物包含黏結的釹鐵硼(NdFeB)磁體。
12.一種半導體封裝,包含:
一基板,在該基板的一頂表面上至少設置有一半導體芯片;
一接地環,在該基板的該頂表面上,環繞著該半導體芯片;
一金屬柱強化膠體墻,設在該接地環上,環繞著該半導體芯片,其中該金屬柱強化膠體墻包含磁性或可磁化填充物,構成主動電磁兼容屏蔽;以及
一成型模料,僅僅設置在該金屬柱強化膠體墻圍繞的范圍內,并覆蓋該半導體芯片。
13.如權利要求12所述的半導體封裝,其特征在于,該金屬柱強化膠體墻包含復數個金屬柱,其中各該復數個金屬柱的一端固定在該接地環上,另一端則懸空,該復數個金屬柱圍繞著該半導體芯片。
14.如權利要求12所述的半導體封裝,其特征在于,該金屬柱強化膠體墻另包含一膠體,附著在該金屬柱的表面上。
16.如權利要求14所述的半導體封裝,其特征在于,該膠體系為一導電膠。
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