[發(fā)明專利]一種納米銀線導(dǎo)電膜及其作為觸控傳感器電極層的制作方法

有效

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• 申請日: 2019-12-23
• 公開（公告）號: CN111028987B
• 公開（公告）日: 2021-12-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 呂鵬;張梓晗;任小勇;劉威;張運(yùn)奇
• 申請（專利權(quán)）人: 合肥微晶材料科技有限公司
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;H01B13/00
• 代理公司: 安徽省合肥新安專利代理有限責(zé)任公司 34101
• 代理人: 盧敏

本發(fā)明公開了一種納米銀線導(dǎo)電膜及其作為觸控傳感器電極層的制作方法，是在納米銀線導(dǎo)電層的上下皆設(shè)置OC光阻劑層，既使其可以通過簡單的黃光工藝進(jìn)行電極圖案化加工成觸控傳感器電極層，又可在電極圖案化后作為納米銀線導(dǎo)電層的保護(hù)層。本發(fā)明觸控傳感器電極層的制作方法具有操作簡單、精密度高、良率高、效率快的優(yōu)勢。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于觸摸屏領(lǐng)域，具體涉及一種納米銀線導(dǎo)電膜及其作為觸控傳感器電極層的制作方法。

背景技術(shù)

納米銀線材料是目前大尺寸觸控的最佳解決方案，但由于納米銀線本身霧度較高、色度偏黃等光學(xué)因素，極大的限制了納米銀線在中小尺寸觸摸屏上的運(yùn)用。然而，近年來納米銀線取得飛速發(fā)展，納米銀線本身霧度高、色度偏黃的問題得到大幅度改善，使得納米銀線未來有極大的可能在中小尺寸觸摸屏上占有一席之地。

相較于大尺寸觸摸屏，中小尺寸觸摸屏對觸控靈敏度、線性度及響應(yīng)速度均有更高要求。通道更加密集，要求觸摸屏的制作更加精密。但目前主流的納米銀線觸控電極層的加工方式為激光干刻，干刻直徑在25～40μm之間，滿足不了更加精密的觸摸要求。而更為精密且成熟的黃光工藝針對的是ITO觸控電極材料而非納米銀線，配套的光阻劑、納米銀線蝕刻液等尚未完全成熟，而且工藝較為繁瑣、成本較高。

發(fā)明內(nèi)容

基于上述現(xiàn)有技術(shù)所存在的不足之處，本發(fā)明提供了一種納米銀線導(dǎo)電膜及其作為觸控傳感器電極層的制作方法，旨在提高納米銀線觸摸屏制備的精密度，使其能在中小尺寸觸摸屏中得以應(yīng)用。

本發(fā)明為實(shí)現(xiàn)發(fā)明目的，采用如下技術(shù)方案：

本發(fā)明首先公開了一種納米銀線導(dǎo)電膜，其特點(diǎn)在于：所述納米銀線導(dǎo)電膜是在透明襯底上依次設(shè)置有第一OC光阻劑層、納米銀線導(dǎo)電層、第二OC光阻劑層和離型膜。

進(jìn)一步地，所述第一OC光阻劑層和所述第二OC光阻劑層所用OC光阻劑溶液的配方體系包括如下質(zhì)量百分比的各原料：

更進(jìn)一步地，所述溶劑是由丁酮、乙酸乙酯和乙二醇按質(zhì)量比1:1:1混合而成。

進(jìn)一步地，第一OC光阻劑層的厚度為1.0-1.5μm，所述納米銀線導(dǎo)電層的厚度為100-300nm，所述第二OC光阻劑層的厚度為1.5-2.5μm。

本發(fā)明還公開了一種觸控傳感器電極層的制作方法，其包括如下步驟：

步驟1、利用上述的納米銀線導(dǎo)電膜，以離型膜朝上，使用觸控傳感器電極層所需的掩膜版進(jìn)行曝光，曝光波長為340～380nm、能量為100～300mJ/cm²、時間30～60s；

步驟2、將曝光后的納米銀線導(dǎo)電膜撕離離型膜后，在濃度為0.6-1.5mol/L的KOH顯影液中浸泡1～3min，使非曝光區(qū)域的第一OC光阻劑層和第二OC光阻劑層同時被顯影洗掉，對應(yīng)區(qū)域的中間納米銀線導(dǎo)電層失去支撐同時被洗掉；

步驟3、顯影后，對納米銀線導(dǎo)電膜進(jìn)行清洗、烘干，曝光區(qū)域的第一OC光阻劑層、納米銀線導(dǎo)電層和第二OC光阻劑層被保留，形成電極圖案化的納米銀線導(dǎo)電膜，用于觸控傳感器電極層；

步驟4、對電極圖案化的納米銀線導(dǎo)電膜進(jìn)行后烘和/或在氮?dú)獗Ｗo(hù)下進(jìn)行UV固化，以進(jìn)一步提高第一OC光阻劑層和第二OC光阻劑層的保護(hù)功能，即完成處理。

進(jìn)一步地，步驟4中，所述后烘是在120～200℃下烘烤5min。

進(jìn)一步地，步驟4中，所述UV固化是以800～1200mJ/cm²的能量固化5-7min。

本發(fā)明的有益效果體現(xiàn)在：