[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911338310.3
• 申請(qǐng)日: 2019-12-23
• 公開（公告）號(hào): CN111354700A
• 公開（公告）日: 2020-06-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭起雕;曹昌用;李永模;吳情植;韓鐘鎬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: NEPES株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L23/485
• 分類號(hào): H01L23/485
• 代理公司: 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 宋穎娉;宋志強(qiáng)

1.一種半導(dǎo)體封裝件，包括：

半導(dǎo)體芯片，其包括設(shè)置在第一表面上的芯片焊盤；

外部焊盤，其與所述半導(dǎo)體芯片的所述芯片焊盤電連接；

外部連接端子，其遮蓋所述外部焊盤；以及

中間層，其設(shè)置在所述外部焊盤與所述外部連接端子之間且包括第三金屬材料，所述第三金屬材料不同于包括在所述外部焊盤中的第一金屬材料和包括在所述外部連接端子中的第二金屬材料。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，所述中間層的所述第三金屬材料包括金。

所述中間層的所述第三金屬材料包括包括金的貴金屬，所述中間層通過非電解質(zhì)方法被形成。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，

還包括在所述半導(dǎo)體芯片的第一表面上的絕緣層，

所述外部連接端子遮蓋所述外部焊盤的側(cè)壁，且與所述絕緣層的上表面面接觸。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，

對(duì)于與所述半導(dǎo)體芯片的所述第一表面平行的第一方向，

在所述外部焊盤的所述側(cè)壁的最上端與所述外部連接端子的外部表面之間，所述外部連接端子的沿著所述第一方向的厚度為10μm至30μm之間。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，

還包括在所述半導(dǎo)體芯片的第一表面上的絕緣層，

對(duì)于垂直于所述半導(dǎo)體芯片的所述第一表面的第二方向，以所述絕緣層的上表面為準(zhǔn)，所述外部焊盤的沿著所述第二方向的高度為10μm至50μm之間。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，

還包括布線圖案，其在所述半導(dǎo)體芯片的芯片焊盤與所述外部焊盤之間延長(zhǎng)且電連接所述芯片焊盤與所述外部焊盤。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，所述半導(dǎo)體芯片包括扇出形狀的半導(dǎo)體封裝件。

8.一種半導(dǎo)體封裝件，包括：半導(dǎo)體芯片，其包括設(shè)置在第一表面上的芯片焊盤；

外部焊盤，其與所述半導(dǎo)體的所述芯片焊盤電連接；以及

外部連接端子，其遮蓋所述外部焊盤且包括焊錫，

其中，

所述外部連接端子還包括第二金屬材料，所述第二金屬材料不同于包括在所述焊錫和所述外部焊盤中的第一金屬材料。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，

所述第二金屬材料占所述外部連接端子的整個(gè)重量的0.00001wt％至1wt％之間。

10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，所述第二金屬材料包括貴金屬。

11.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，

所述外部連接端子遮蓋所述外部焊盤的側(cè)壁，

對(duì)于與所述半導(dǎo)體芯片的所述第一表面平行的第一方向，在所述外部焊盤的側(cè)壁的最上端與所述外部連接端子的外部表面之間，所述外部連接端子的沿著所述第一方向的厚度為10μm至30μm之間。

12.一種半導(dǎo)體封裝件，包括：

基板，其包括設(shè)置在第一表面上的導(dǎo)電性焊盤；

絕緣圖案，其露出所述導(dǎo)電性焊盤的至少一部分且設(shè)置在所述第一表面上；

下部金屬層，其連接到所述導(dǎo)電性焊盤；

上部金屬層，其設(shè)置在所述下部金屬層上；以及

外部連接端子，其遮蓋所述上部金屬層的整個(gè)上部表面及整個(gè)側(cè)壁表面，

其中，

所述下部金屬層的側(cè)方向輪郭與所述上部金屬層的所述側(cè)壁面相比位于內(nèi)側(cè)。