[發明專利]半導體裝置的制造方法

在審

• 申請號: 201911337793.5
• 申請日: 2019-12-23
• 公開（公告）號: CN112530818A
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發明（設計）人: 吳俊毅;余振華;劉重希
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/56;H01L21/54
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 王素琴

1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：

使用第一管芯附接襯墊將第一半導體裝置附接到襯底；

使用第二管芯附接襯墊將第二半導體裝置附接到所述襯底；

使用包封體填充所述第一管芯附接襯墊與所述第二管芯附接襯墊之間的間隙且至少部分地填充所述第一半導體裝置與所述第二半導體裝置之間的間隙；

在所述包封體上方以及所述第一半導體裝置和所述第二半導體裝置上方沉積保護涂層，所述沉積所述保護涂層填充所述第一半導體裝置與所述第二半導體裝置之間的所述間隙的剩余部分；以及

在所述保護涂層上方形成重布線結構。