[發明專利]半導體元件

在審

• 申請號: 201911334808.2
• 申請日: 2019-12-23
• 公開（公告）號: CN111354759A
• 公開（公告）日: 2020-06-30
• 發明（設計）人: 陳新綱;李榮仁
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/14;H01S5/026;H01S5/183
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發明公開一種半導體元件，其包含一半導體疊層，具有一第一型半導體結構、一活性結構以及一第二型半導體結構設于該第一型半導體結構上，該第二型半導體結構具有一摻雜濃度；一第一部分，具有一部分的第一型半導體結構、活性結構及第二型半導體結構，且包含一電流局限區域；及一第二部分，具有一部分的第一型半導體結構、活性結構及第二型半導體結構，且包含一第一型重摻雜區域位于該第二型半導體結構中，該第一型重摻雜區域具有一摻雜濃度，其中，該第一型重摻雜區域的該摻雜濃度高于該第二型半導體結構的該摻雜濃度。

技術領域

本發明涉及一種半導體元件，特別是涉及一種具有重摻雜區域的半導體元件。

背景技術

這里的陳述僅提供與本發明有關的背景信息，而不必然地構成現有技術。

常見的發光元件，例如：發光二極管(Light Emitting Diode，LED)或垂直共振腔表面發光激光(Vertical Cavity Surface Emitting Lasers，VCSEL)，需要額外連接靜電防護元件，例如：基納二極管(Zener Diode)或瞬態抑制二極管(Transient Voltagesuppression)，以避免工作中的靜電電壓造成發光元件的損毀。舉例而言，可以通過封裝制作工藝，將發光元件與相對應的靜電防護元件配置于同一電路結構，以制造具有抗靜電功能的發光組件。

發明內容

有鑒于此，本發明部分實施例提供一種半導體元件。

本發明一實施例的半導體元件包含一半導體疊層，具有一第一型半導體結構、一活性結構以及一第二型半導體結構設于該第一型半導體結構上，該第二型半導體結構具有一摻雜濃度；一第一部分，具有一部分的第一型半導體結構、活性結構及第二型半導體結構，且包含一電流局限區域；及一第二部分，具有一部分的第一型半導體結構、活性結構及第二型半導體結構，且包含一第一型重摻雜區域位于該第二型半導體結構中，該第一型重摻雜區域具有一摻雜濃度，其中，該第一型重摻雜區域的該摻雜濃度高于該第二型半導體結構的該摻雜濃度。

以下通過具體實施例配合所附的附圖詳加說明，當更容易了解本發明的目的、技術內容、特點及其所達成的功效。

附圖說明

圖1為本發明一實施例的半導體元件的一俯視示意圖；

圖2為本發明一實施例的半導體元件沿圖1的AA’剖面線的側視示意圖；

圖3為本發明另一實施例的半導體元件的側視示意圖；

圖4為本發明一實施例的半導體元件的一俯視示意圖；

圖5為本發明一實施例的半導體元件沿圖4的BB’剖面線的側視示意圖；

圖6為本發明另一實施例的半導體元件的側視示意圖；

圖7為本發明一實施例的半導體元件的一俯視示意圖。

符號說明

1 第一型半導體結構

10 活性結構

2 第二型半導體結構

20 第一部分

201a 內輪廓

201b 外輪廓

201 電流局限區域

202 電流導通區域

22 第二部分