[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體元件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911334808.2
• 申請(qǐng)日: 2019-12-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111354759A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-06-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳新綱;李榮仁
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/15
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/15;H01L33/14;H01S5/026;H01S5/183
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種半導(dǎo)體元件，其特征在于，包含：

半導(dǎo)體疊層，具有第一型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、活性結(jié)構(gòu)以及第二型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)設(shè)于該第一型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上，該第二型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)具有一摻雜濃度；

第一部分，具有一部分的第一型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、活性結(jié)構(gòu)及第二型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，且包含電流局限區(qū)域；及

第二部分，具有一部分的第一型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、活性結(jié)構(gòu)及第二型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，且包含第一型重?fù)诫s區(qū)域位于該第二型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，該第一型重?fù)诫s區(qū)域具有一摻雜濃度，其中，該第一型重?fù)诫s區(qū)域的該摻雜濃度高于該第二型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的該摻雜濃度。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，還包含導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，連接該第一部分以及該第二部分且設(shè)于該第一型重?fù)诫s區(qū)域上。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，還包含溝槽，位于第一部分及該第二部分之間。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該第一型重?fù)诫s區(qū)域的該摻雜濃度大于或等于該第二型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的該摻雜濃度的一百倍。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該第二型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)具有第一厚度，且該第一型重?fù)诫s區(qū)域具有第二厚度小于該第一厚度。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件，其中該第二厚度大于或等于一半的該第一厚度。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該半導(dǎo)體疊層包含多個(gè)該第一部分。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該第一型重?fù)诫s區(qū)域包含相互分離的第一區(qū)域以及第二區(qū)域。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件，還包含連接導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，電連接該第二區(qū)域以及該第二部分的該第一型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件，其中該連接導(dǎo)電結(jié)構(gòu)覆蓋于該第二型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的側(cè)表面。