[發(fā)明專利]晶圓濕制程設(shè)備用恒溫加熱槽在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911332456.7 | 申請日: | 2019-12-22 |
| 公開(公告)號: | CN111261551A | 公開(公告)日: | 2020-06-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王振榮;劉紅兵;盧鵬;凌嘉偉 | 申請(專利權(quán))人: | 上海新陽半導(dǎo)體材料股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;C25D21/02 |
| 代理公司: | 上海脫穎律師事務(wù)所 31259 | 代理人: | 李強 |
| 地址: | 201616 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶圓濕制程設(shè) 備用 恒溫 加熱 | ||
1.一種晶圓濕制程設(shè)備用恒溫加熱槽,其特征在于,包括電鍍用槽體以及循環(huán)加熱機構(gòu),所述電鍍用槽體外四周設(shè)有加熱外槽,所述電鍍用槽體與所述加熱外槽之間相互間隔以形成水浴加熱空間,所述循環(huán)加熱機構(gòu)連通于所述電鍍用槽體,所述加熱外槽由外界向所述水浴加熱空間內(nèi)通入加熱水,所述加熱水的溫度高于所述電鍍用槽體內(nèi)藥液的溫度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓濕制程設(shè)備用恒溫加熱槽,其特征在于,所述加熱外槽與所述電鍍用槽體相互隔斷,所述加熱外槽的側(cè)壁上設(shè)有外接進水口以及外接出水口以供與外界供水加熱裝置連通。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓濕制程設(shè)備用恒溫加熱槽,其特征在于,所述電鍍用槽體的外壁與所述加熱外槽的內(nèi)壁之間設(shè)有加強支撐結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓濕制程設(shè)備用恒溫加熱槽,其特征在于,所述加強支撐結(jié)構(gòu)包括透水加強板,所述透水加強板圍設(shè)于所述所述加強肋外,所述外接進水口以及所述外接出水口分別通過管路穿過所述加熱外槽并連通于所述透水加強板,所述透水加強板上開設(shè)有多個均勻排布的透水孔以供與所述加熱外槽連通。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓濕制程設(shè)備用恒溫加熱槽,其特征在于,所述加強支撐結(jié)構(gòu)包括均勻排布于所述電鍍用槽體側(cè)壁及底面的多個加強肋;所述電鍍用槽體的外壁上沿圍設(shè)有外緣蓋體,所述外緣蓋體與所述電鍍用槽體的外壁之間設(shè)有所述加強肋。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶圓濕制程設(shè)備用恒溫加熱槽,其特征在于,所述電鍍用槽體與所述外緣蓋體的頂面封閉連接,所述加熱外槽的頂端封閉連接于所述外緣蓋體的底面。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶圓濕制程設(shè)備用恒溫加熱槽,其特征在于,所述電鍍用槽體的頂部敞開且設(shè)有可活動打開的蓋板機構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶圓濕制程設(shè)備用恒溫加熱槽,其特征在于,所述蓋板機構(gòu)包括安裝框,所述外緣蓋體的頂部敞開,所述安裝框安裝于所述外緣蓋體上,所述安裝框上設(shè)有通過鉸鏈結(jié)構(gòu)或連桿結(jié)構(gòu)自動打開的多個蓋板;所述鉸鏈結(jié)構(gòu)或所述連桿結(jié)構(gòu)上安裝有機械手并通過所述機械手進行自動轉(zhuǎn)動進而控制所述蓋板的啟閉。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8任一所述的晶圓濕制程設(shè)備用恒溫加熱槽,其特征在于,所述電鍍用槽體上分別設(shè)有進液口以及出液口,所述電鍍用槽體的內(nèi)部設(shè)有隔板進而形成相互連通的進液內(nèi)腔以及出液內(nèi)腔,所述進液口連通于所述進液內(nèi)腔,所述出液口連通于所述出液內(nèi)腔。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶圓濕制程設(shè)備用恒溫加熱槽,其特征在于,所述循環(huán)加熱機構(gòu)通過連接管分別連通于所述進液口以及所述出液口,所述循環(huán)加熱機構(gòu)包括相互連通的加熱泵以及過濾器,所述加熱泵連通于所述出液口,所述過濾器連通于所述進液口。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





