[發明專利]一種雙面太陽能電池背面發射極的制備方法在審

申請號：	201911328524.2	申請日：	2019-12-20
公開（公告）號：	CN110880543A	公開（公告）日：	2020-03-13
發明（設計）人：	吳波;黃海深;楊秀徳;李平;周庭艷	申請（專利權）人：	遵義師范學院
主分類號：	H01L31/18	分類號：	H01L31/18;H01L31/068
代理公司：	重慶強大凱創專利代理事務所(普通合伙) 50217	代理人：	幸云杰
地址：	563000 ***	國省代碼：	貴州;52
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種雙面太陽能電池背面發射極制備方法
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【說明書】：

本申請公開了太陽能電池技術領域的一種雙面太陽能電池背面發射極的制備方法，包括以下步驟：步驟一：單晶硅片首先進行堿拋，去除表面損傷層；步驟二：硅片表面使用PECVD的方式制備SiNx掩膜；步驟三：設計特定圖案，使用激光將部分區域的掩膜去除，即開槽，開槽的圖案與金屬化的柵線一致，開槽的寬度為30～130μm，線條可以為連續直線，線段，點陣列；步驟四：使用化學腐蝕的方式，在硅片表面的開槽區域制備出絨面，堿制絨絨面反射率達到11?14％；步驟五：硅片進行擴散。采用本制作方法，1)激光后的清洗減弱了激光對硅片的損傷層，提高了太陽能電池的轉化效率；2)化學制絨的方式相較激光而言，方阻的調整空間更大。

技術領域

本發明涉及太陽能電池技術領域，具體涉及一種雙面太陽能電池背面發射極的制備方法。

背景技術

PECVD是借助微波或射頻等使含有薄膜成分原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積。

太陽電池是一種基于光伏效應直接將光能轉化為電能的器件。為了提升太陽能電池的轉換效率，高效太陽能電池的制備工藝中經常使用選擇性發射極的制備工藝，一般選擇性發射極采用擴散而后進行激光摻雜的工藝過程，其優點是對常規太陽能電池的制程兼容性強，缺點是激光工序后無清洗工序，從而表面的損傷層無法去除，工藝過程略有瑕疵。因此現在需要一種新的選擇性發射極的制備方法

發明內容

本發明意在提供一種太陽能電池新的選擇性發射極的制備方法。

為解決上述技術問題，本發明提供如下技術方案：一種雙面太陽能電池背面發射極的制備方法，包括以下步驟：

步驟一：單晶硅片首先進行堿拋，去除表面損傷層；

步驟二：硅片表面使用PECVD的方式制備SiNx掩膜；

步驟三：設計特定圖案，使用激光將部分區域的掩膜去除，即開槽，開槽的圖案與金屬化的柵線一致，開槽的寬度為30～130μm，線條可以為連續直線，線段，點陣列；

步驟四：使用化學腐蝕的方式，在硅片表面的開槽區域制備出絨面，堿制絨絨面反射率達到11-14％，而后使用HF與HNO3的混合溶液將絨面反射率腐蝕至19～26％，之后使用HF溶液將掩膜全部去除，在硅片表面形成兩種粗糙度不同的區域即：絨面區與拋光區；

步驟五：硅片進行擴散，絨面區的表面活性較強，摻雜濃度高，方阻摻雜至70～120Ω，而拋光區的表面活性弱，摻雜濃度低，方阻摻雜至120～160Ω，如此形成選擇性摻雜的發射極。

本發明的有益效果：采用本制作方法，1)激光后的清洗減弱了激光對硅片的損傷層，提高了太陽能電池的轉化效率；2)化學制絨的方式相較激光而言，方阻的調整空間更大。

進一步，步驟一的堿拋方式為：使用15％濃度的KOH溶液，溫度為65℃，硅片表面的反射率達到34％。

進一步，步驟二中使用PECVD方式制備SiNx掩膜，SiNx的厚度為60～90nm，折射率為2.0～2.3，使其成肉眼可見的紅色或藍色等極易辨識的顏色。

進一步，步驟三中激光開槽圖形設定與背面金屬化的柵線圖形一致，激光開槽的寬度為30～130μm。