[發(fā)明專利]一種雙面太陽能電池背面發(fā)射極的制備方法

在審

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• 申請日: 2019-12-20
• 公開（公告）號: CN110880543A
• 公開（公告）日: 2020-03-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳波;黃海深;楊秀徳;李平;周庭艷
• 申請（專利權(quán)）人: 遵義師范學(xué)院
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/068
• 代理公司: 重慶強大凱創(chuàng)專利代理事務(wù)所(普通合伙) 50217
• 代理人: 幸云杰

1.一種雙面太陽能電池背面發(fā)射極的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

步驟一：單晶硅片首先進(jìn)行堿拋，去除表面損傷層；

步驟二：硅片表面使用PECVD的方式制備SiNx掩膜；

步驟三：設(shè)計特定圖案，使用激光將部分區(qū)域的掩膜去除，即開槽，開槽的圖案與金屬化的柵線一致，開槽的寬度為30～130μm，線條可以為連續(xù)直線，線段，點陣列；

步驟四：使用化學(xué)腐蝕的方式，在硅片表面的開槽區(qū)域制備出絨面，堿制絨絨面反射率達(dá)到11-14％，而后使用HF與HNO3的混合溶液將絨面反射率腐蝕至19～26％，之后使用HF溶液將掩膜全部去除，在硅片表面形成兩種粗糙度不同的區(qū)域即：絨面區(qū)與拋光區(qū)；

步驟五：硅片進(jìn)行擴(kuò)散，絨面區(qū)的表面活性較強，摻雜濃度高，方阻摻雜至70～120Ω，而拋光區(qū)的表面活性弱，摻雜濃度低，方阻摻雜至120～160Ω，如此形成選擇性摻雜的發(fā)射極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙面太陽能電池背面發(fā)射極的制備方法，其特征在于：步驟一的堿拋方式為：使用15％濃度的KOH溶液，溫度為65℃，硅片表面的反射率達(dá)到34％。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種雙面太陽能電池背面發(fā)射極的制備方法，其特征在于：步驟二中使用PECVD方式制備SiNx掩膜，SiNx的厚度為60～90nm，折射率為2.0～2.3，使其成肉眼可見的紅色或藍(lán)色等極易辨識的顏色。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種雙面太陽能電池背面發(fā)射極的制備方法，其特征在于：步驟三中激光開槽圖形設(shè)定與背面金屬化的柵線圖形一致，激光開槽的寬度為30～130μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種雙面太陽能電池背面發(fā)射極的制備方法，其特征在于：步驟四中化學(xué)制絨方式為：首先進(jìn)行HF清洗，使開槽區(qū)表面殘留的SiNx去除干凈；然后進(jìn)行堿制絨，SiNx的覆蓋區(qū)域無法制備絨面，而開槽區(qū)域可以制備絨面，使其表面反射率達(dá)到11～14％；然后進(jìn)行HF和HNO3腐蝕，使其反射率上升至19～26％；然后進(jìn)行HF清洗，徹底去除拋光區(qū)的SiNx層。