[發明專利]陣列基板及其制備方法、顯示面板、顯示裝置有效
| 申請號: | 201911327443.0 | 申請日: | 2019-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN110993625B | 公開(公告)日: | 2022-09-02 |
| 發明(設計)人: | 馬濤 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京律智知識產權代理有限公司 11438 | 代理人: | 王輝;闞梓瑄 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 及其 制備 方法 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本發明涉及顯示技術領域,提出一種陣列基板及其制備方法、顯示面板、顯示裝置。該陣列基板的制備方法包括提供一基板;在基板之上形成第一電極層;在第一電極層的背離基板的一面形成導體層;對導體層進行圖案化處理形成導體圖案;對第一電極層進行圖案化處理形成第一電極。形成導體圖案之前,第一電極層仍保持全面覆蓋,排除因對第一電極層進行圖案化處理產生的應力釋放點固定造成的應力不均;在形成導體層之前,沒有對第一電極層進行任何處理,避免帶入異物,使第一電極層和導體層之間沒有異物,因此消除異物對導體層的影響。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種陣列基板及陣列基板的制備方法、安裝有該陣列基板的顯示面板、安裝有該顯示面板的顯示裝置。
背景技術
現有的陣列基板中,為了降低能耗,在公共電極往往采取搭配金屬層來降低公共電極的電阻,以滿足成品的低功耗要求。
但是,目前的工藝流程生產的金屬層容易發生鼓包,嚴重時還會發生金屬層的膜層脫落,無法保證產品品質。
因此,有必要研究一種新的陣列基板及陣列基板的制備方法、安裝有該陣列基板的顯示面板、安裝有該顯示面板的顯示裝置。
所述背景技術部分公開的上述信息僅用于加強對本發明的背景的理解,因此它可以包括不構成對本領域普通技術人員已知的現有技術的信息。
發明內容
本發明的目的在于克服上述現有技術的容易鼓包的不足,提供一種不容易鼓包的陣列基板及陣列基板的制備方法、安裝有該陣列基板的顯示面板、安裝有該顯示面板的顯示裝置。
本發明的額外方面和優點將部分地在下面的描述中闡述,并且部分地將從描述中變得顯然,或者可以通過本發明的實踐而習得。
根據本公開的一個方面,提供一種陣列基板的制備方法,包括:
提供一基板;
在所述基板之上形成第一電極層;
在所述第一電極層的背離所述基板的一面形成導體層;
對所述導體層進行圖案化處理形成導體圖案;
對所述第一電極層進行圖案化處理形成第一電極。
在本公開的一種示例性實施例中,在對所述導體層進行圖案化處理形成導體圖案之后,所述制備方法還包括:
在所述導體圖案的背離所述基板的一面形成第二電極層,對所述第二電極層進行圖案化處理形成第二電極,所述導體圖案在所述基板上的正投影位于所述第二電極在所述基板上的正投影內。
在本公開的一種示例性實施例中,對所述第一電極層進行圖案化處理和對所述第二電極層進行圖案化處理通過同一次光刻工藝完成。
在本公開的一種示例性實施例中,所述第一電極層和所述第二電極層的材質是氧化銦錫,所述導體層的材質是金屬。
在本公開的一種示例性實施例中,通過半透式掩膜板完成對所述導體層的圖案化處理和對所述第一電極層的圖案化處理。
在本公開的一種示例性實施例中,在所述導體層的背離所述基板的一面形成光刻膠;
在所述光刻膠之上覆蓋所述半透式掩膜板,其中,所述半透式掩膜板的半透光區域對應所述第一電極層的第一區域,所述半透式掩膜板的遮擋區域對應所述第一電極層的第二區域;
對所述光刻膠進行曝光和顯影以去除全透光區域的所述光刻膠;
對所述全透光區域的所述導體層進行刻蝕;
對所述光刻膠進行灰化處理以去除所述第一區域對應的光刻膠;
對所述第一電極層進行刻蝕形成所述第一電極;
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司,未經京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201911327443.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





