[發(fā)明專(zhuān)利]陣列基板及其制備方法、顯示面板、顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911327443.0 | 申請(qǐng)日: | 2019-12-20 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN110993625B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-09-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馬濤 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L27/12 | 分類(lèi)號(hào): | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京律智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438 | 代理人: | 王輝;闞梓瑄 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陣列 及其 制備 方法 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板的制備方法,其特征在于,包括:
提供一基板;
在所述基板之上形成第一電極層;
在所述第一電極層的背離所述基板的一面形成導(dǎo)體層;
對(duì)所述導(dǎo)體層進(jìn)行圖案化處理形成導(dǎo)體圖案;
在所述導(dǎo)體圖案的背離所述基板的一面形成第二電極層,對(duì)所述第二電極層進(jìn)行圖案化處理形成第二電極,所述導(dǎo)體圖案在所述基板上的正投影位于所述第二電極在所述基板上的正投影內(nèi);
對(duì)所述第一電極層進(jìn)行圖案化處理形成第一電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制備方法,其特征在于,對(duì)所述第一電極層進(jìn)行圖案化處理和對(duì)所述第二電極層進(jìn)行圖案化處理通過(guò)同一次光刻工藝完成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制備方法,其特征在于,所述第一電極層和所述第二電極層的材質(zhì)是氧化銦錫,所述導(dǎo)體層的材質(zhì)是金屬。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制備方法,其特征在于,通過(guò)半透式掩膜板完成對(duì)所述導(dǎo)體層的圖案化處理和對(duì)所述第一電極層的圖案化處理。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板的制備方法,其特征在于,在所述導(dǎo)體層的背離所述基板的一面形成光刻膠;
在所述光刻膠之上覆蓋所述半透式掩膜板,其中,所述半透式掩膜板的半透光區(qū)域?qū)?yīng)所述第一電極層的第一區(qū)域,所述半透式掩膜板的遮擋區(qū)域?qū)?yīng)所述第一電極層的第二區(qū)域;
對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光和顯影以去除全透光區(qū)域的所述光刻膠;
對(duì)所述全透光區(qū)域的所述導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕;
對(duì)所述光刻膠進(jìn)行灰化處理以去除所述第一區(qū)域?qū)?yīng)的光刻膠;
對(duì)所述第一電極層進(jìn)行刻蝕形成所述第一電極;
對(duì)所述第一區(qū)域?qū)?yīng)的所述導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕形成所述導(dǎo)體圖案。
6.一種陣列基板,其特征在于,所述陣列基板通過(guò)權(quán)利要求1~5任意一項(xiàng)所述的制備方法制備而成,所述陣列基板包括:
基板;
第一電極,設(shè)于所述基板之上;
導(dǎo)體圖案,設(shè)于所述第一電極的背離所述基板的一面;
第二電極,設(shè)于所述導(dǎo)體圖案的背離所述基板的一面,所述導(dǎo)體圖案在所述基板上的正投影位于所述第二電極在所述基板上的正投影內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板,其特征在于,所述第二電極在所述基板上的正投影與所述第一電極在所述基板上的正投影相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板還包括:
有機(jī)膜層,設(shè)于所述基板與所述第一電極之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板還包括:
柵極,設(shè)于所述基板之上;
柵絕緣層,設(shè)于所述柵極的背離所述基板的一面;
有源層,設(shè)于所述柵絕緣層的背離所述基板的一面;
源漏極,設(shè)于所述有源層的背離所述基板的一面;
緩沖層,設(shè)于所述源漏極的背離所述基板的一面;
有機(jī)膜層,設(shè)于所述緩沖層的背離所述基板的一面,所述第一電極設(shè)于所述有機(jī)膜層的背離所述基板的一面;所述有機(jī)膜層上設(shè)置有過(guò)孔,所述過(guò)孔貫穿至所述緩沖層,所述過(guò)孔的一側(cè)設(shè)置有所述第一電極的第一區(qū)域,另一側(cè)設(shè)置有所述第一電極的第二區(qū)域,所述第二區(qū)域的背離所述基板的一面設(shè)有所述導(dǎo)體圖案和所述第二電極。
10.一種顯示面板,其特征在于,包括:權(quán)利要求6~9任意一項(xiàng)所述的陣列基板。
11.一種顯示裝置,其特征在于,包括:權(quán)利要求10所述的顯示面板。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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