[發明專利]改善OTP性能的方法在審
| 申請號： | 201911325809.0 | 申請日： | 2019-12-20 |
| 公開（公告）號： | CN111146149A | 公開（公告）日： | 2020-05-12 |
| 發明（設計）人： | 王樂平 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8234 | 分類號： | H01L21/8234;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 改善 otp 性能 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種改善OTP性能的方法，其特征在于：在形成PMOS的P型輕摻雜漏區或者重摻雜P型區時，降低傾斜注入的注入能量及注入劑量。
2.如權利要求1所述的改善OTP性能的方法，其特征在于：所述的注入能量降低10～20%。
3.如權利要求1所述的改善OTP性能的方法，其特征在于：所述的注入劑量從降低20～30%。
4.如權利要求1所述的改善OTP性能的方法，其特征在于：所述的降低傾斜注入的注入能量及注入劑量能改善OTP干擾失效。
5.如權利要求1所述的改善OTP性能的方法，其特征在于：所述方法還包括，在形成PMOS的P型輕摻雜漏區之前做柵極側墻時，降低柵極介質層的厚度，即降低柵極側墻的厚度。
6.如權利要求5所述的改善OTP性能的方法，其特征在于：所述的柵極介質層的淀積厚度從降低10%左右。
7.如權利要求5所述的改善OTP性能的方法，其特征在于：在P型輕摻雜漏區注入之后，再通過閾值電壓調節注入將所形成的器件的閾值電壓調回到目標值。
8.如權利要求5所述的改善OTP性能的方法，其特征在于：還包括降低N型輕摻雜漏區注入劑量，以調整NMOS器件的飽和漏電流，減小熱載流子效應。
9.如權利要求5所述的改善OTP性能的方法，其特征在于：降低柵極側墻的厚度能改善弱編程性能。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
