[發(fā)明專利]用于制造太陽能電池的方法和太陽能電池

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911324546.1
• 申請(qǐng)日: 2019-12-20
• 公開（公告）號(hào): CN111129217B
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫越;林綱正;陳剛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浙江愛旭太陽能科技有限公司;廣東愛旭科技股份有限公司;天津愛旭太陽能科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18;H01L31/0216
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 李輝;崔卿虎

本文描述了用于制造太陽能電池的方法和太陽能電池。在此描述的用于制造太陽能電池的方法包括：在經(jīng)摻雜的硅襯底的第一表面上形成多孔氧化硅層；在所述硅襯底的與所述第一表面相對(duì)的第二表面上形成第一氮化硅層；以及在所述多孔氧化硅層上形成第二氮化硅層。還描述了利用該方法制造的太陽能電池。根據(jù)本公開的實(shí)施例，能夠改善太陽能電池的膜層均勻性。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開的實(shí)施例一般地涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，并且更具體地涉及能夠改善膜層均勻性的太陽能電池和用于制造太陽能電池的方法。

背景技術(shù)

晶體硅(Si)電池作為太陽能電池的主導(dǎo)產(chǎn)品，其生產(chǎn)成本日益降低，并且其生產(chǎn)工藝日趨完善。然而，隨著效率即將達(dá)到效率瓶頸，在提高太陽能電池的效率的同時(shí)確保美觀性也就成為潛在需求之一。

管式PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)工藝具有在背面沉積膜層時(shí)膜層會(huì)繞到正面邊緣沉積的繞鍍的缺陷。在太陽能電池的硅襯底的背表面沉積氮化硅膜層之后，在硅襯底的正表面沉積氮化硅膜層時(shí)，繞鍍現(xiàn)象會(huì)使在硅襯底的正表面邊緣沉積的氮化硅膜層的厚度增加，并且在硅襯底的正表面邊緣會(huì)出現(xiàn)發(fā)白的現(xiàn)象。當(dāng)使用管式PECVD工藝來在硅襯底的正表面沉積氮化硅減反射膜時(shí)，由于繞鍍現(xiàn)象的存在，少量的氮化硅會(huì)在硅襯底的正表面邊緣處附著在氧化硅鈍化層表面并且成為成核中心。該成核中心有利于在正表面沉積氮化硅膜層時(shí)晶體的快速生長(zhǎng)，從而增加了硅襯底邊緣處的氮化硅膜層的厚度，并且太陽能電池的正面在視覺上表現(xiàn)為較淺的顏色。氮化硅減反射膜的不均勻的厚度會(huì)影響太陽能電池的性能，并且目前普遍存在顏色均勻和膜色較深的太陽能電池的需求。

因此，期望開發(fā)改善晶體硅太陽能電池的膜層均勻性的方案，在確保太陽能電池的效率的同時(shí)，改善太陽能電池邊緣發(fā)白的現(xiàn)象并且提高太陽能電池的膜色均勻性。

發(fā)明內(nèi)容

一般地，本公開的實(shí)施例提供了用于制造太陽能電池的方法以及由此方法制造的太陽能電池。

在第一方面，提供了一種用于制造太陽能電池的方法。該方法包括：在經(jīng)摻雜的硅襯底的第一表面上形成多孔氧化硅層；在所述硅襯底的與所述第一表面相對(duì)的第二表面上形成第一氮化硅層；以及在所述多孔氧化硅層上形成第二氮化硅層。

在一些實(shí)施例中，形成所述多孔氧化硅層包括：形成孔徑在10nm至20nm之間的多孔氧化硅層。

在一些實(shí)施例中，形成所述多孔氧化硅層包括：在所述硅襯底的所述第一表面上噴涂多孔氧化硅漿料；以及對(duì)噴涂有所述多孔氧化硅漿料的所述硅襯底進(jìn)行退火，以形成所述多孔氧化硅層。

在一些實(shí)施例中，對(duì)所述硅襯底進(jìn)行退火包括：將所述硅襯底放置在退火腔室中；在氮?dú)獾臍夥罩袑⑺鐾嘶鹎皇业臏囟壬令A(yù)定溫度；以及在氮?dú)夂脱鯕獾臍夥罩袑?duì)所述硅襯底進(jìn)行熱氧化。

在一些實(shí)施例中，通過對(duì)所述硅襯底進(jìn)行熱氧化，在所述硅襯底的所述第一表面與所述多孔氧化硅層之間形成氧化硅層。

在一些實(shí)施例中，所述方法進(jìn)一步包括：在形成所述多孔氧化硅層之后并且在形成所述第一氮化硅層之前，在所述硅襯底的所述第二表面上形成氧化鋁層。

在第二方面，提供了一種太陽能電池。該太陽能電池包括：硅襯底，包括PN結(jié)，并且具有第一表面和與第一表面相對(duì)的第二表面；第一氮化硅層，位于所述硅襯底的所述第二表面上；第二氮化硅層，位于所述硅襯底的所述第一表面上；以及多孔氧化硅層，位于所述硅襯底的所述第一表面與所述第二氮化硅層之間。

在一些實(shí)施例中，所述多孔氧化硅層的孔徑在10nm到20nm之間。

在一些實(shí)施例中，所述太陽能電池進(jìn)一步包括：氧化硅層，位于所述硅襯底的所述第一表面與所述多孔氧化硅層之間。

在一些實(shí)施例中，所述太陽能電池進(jìn)一步包括：氧化鋁層，位于所述硅襯底的所述第二表面與所述第一氮化硅層之間。