[發明專利]用于制造太陽能電池的方法和太陽能電池

有效

• 申請號: 201911324546.1
• 申請日: 2019-12-20
• 公開（公告）號: CN111129217B
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發明（設計）人: 孫越;林綱正;陳剛
• 申請（專利權）人: 浙江愛旭太陽能科技有限公司;廣東愛旭科技股份有限公司;天津愛旭太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0216
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 李輝;崔卿虎

1.一種用于制造太陽能電池的方法，包括：

在經摻雜的硅襯底的第一表面上形成多孔氧化硅層；

在所述硅襯底的與所述第一表面相對的第二表面上形成第一氮化硅層；以及

在所述多孔氧化硅層上形成第二氮化硅層。

2.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述多孔氧化硅層包括：形成孔徑在10nm至20nm之間的多孔氧化硅層。

3.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述多孔氧化硅層包括：

在所述硅襯底的所述第一表面上噴涂多孔氧化硅漿料；以及

對噴涂有所述多孔氧化硅漿料的所述硅襯底進行退火，以形成所述多孔氧化硅層。

4.根據權利要求3所述的方法，其中對所述硅襯底進行退火包括：

將所述硅襯底放置在退火腔室中；

在氮氣的氣氛中將所述退火腔室的溫度升至預定溫度；以及

在氮氣和氧氣的氣氛中對所述硅襯底進行熱氧化。

5.根據權利要求4所述的方法，其中通過對所述硅襯底進行熱氧化，在所述硅襯底的所述第一表面與所述多孔氧化硅層之間形成氧化硅層。

6.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：

在形成所述多孔氧化硅層之后并且在形成所述第一氮化硅層之前，在所述硅襯底的所述第二表面上形成氧化鋁層。

7.一種太陽能電池，包括：

硅襯底，包括PN結，并且具有第一表面和與第一表面相對的第二表面；

第一氮化硅層，位于所述硅襯底的所述第二表面上；

第二氮化硅層，位于所述硅襯底的所述第一表面上；以及

多孔氧化硅層，位于所述硅襯底的所述第一表面與所述第二氮化硅層之間。

8.根據權利要求7所述的太陽能電池，其中所述多孔氧化硅層的孔徑在10nm到20nm之間。

9.根據權利要求7所述的太陽能電池，進一步包括：

氧化硅層，位于所述硅襯底的所述第一表面與所述多孔氧化硅層之間。

10.根據權利要求7所述的太陽能電池，進一步包括：

氧化鋁層，位于所述硅襯底的所述第二表面與所述第一氮化硅層之間。