[發明專利]LDMOS器件的制作方法、LDMOS器件

有效

• 申請號: 201911324379.0
• 申請日: 2019-12-20
• 公開（公告）號: CN111180339B
• 公開（公告）日: 2021-08-24
• 發明（設計）人: 劉俊文;陳華倫;陳瑜
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/40
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 羅雅文

本申請公開了一種LDMOS器件的制作方法、LDMOS器件，涉及半導體制造技術領域。該方法包括提供一襯底，在襯底上制作體區和漂移區；在體區內制作體接觸區和源區，在漂移區內制作漏區；體接觸區和源區之間有淺溝槽隔離；在襯底表面制作柵極；沉積層間介質層；在層間介質層制作接觸孔和矩形槽陣列；接觸孔與體接觸區、源區、漏區、柵極分別連接，矩形槽陣列位于漂移區的上方；其中，矩形槽陣列包括若干個矩形槽，矩形槽的開口寬度小于接觸孔的開口寬度，矩形槽的開口寬度逐漸減小；解決了傳統的LDMOS器件的擊穿電壓受到器件尺寸的限制的問題；達到了提高LDMOS器件的擊穿電壓和可靠性的效果。

技術領域

本申請涉及半導體制造技術領域，具體涉及一種LDMOS器件的制作方法、LDMOS器件。

背景技術

LDMOS(Lateral Double-Diffused MOSFET，橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應管)器件是一種常用的功率器件，擊穿電壓和導通電阻為衡量其性能的重要指標。

擊穿電壓是衡量LDMOS器件性能的重要參數，指的是在保證不被擊穿的情況下，LDMOS器件的漏極和柵極之間能夠施加的最大電壓。在傳統的LDMOS器件上，擊穿電壓和導通電阻互相限制，只能在導通電阻和擊穿電壓之間取得一個平衡點，目前已經可以采取柵極場板或金屬場板，使得擊穿電壓得到一定的提高。

發明內容

為了解決相關技術的問題，本申請提供了一種LDMOS器件的制作方法、LDMOS器件。該技術方案如下：

第一方面，本申請實施例提供了一種LDMOS器件的制作方法，該方法包括：

提供一襯底，在襯底上制作體區和漂移區；

在體區內制作體接觸區和源區，在漂移區內制作漏區；體接觸區和源區之間有淺溝槽隔離；

在襯底表面制作柵極；

沉積層間介質層；

在層間介質層制作接觸孔和矩形槽陣列；接觸孔與體接觸區、源區、漏區、柵極分別連接，矩形槽陣列位于漂移區的上方；

其中，矩形槽陣列包括若干個矩形槽，矩形槽的開口寬度小于接觸孔的開口寬度，矩形槽的開口寬度逐漸減小。

可選的，在矩形槽陣列中，矩形槽的開口長度相同，矩形槽的開口寬度等比例縮小。

可選的，LDMOS器件為N型LDMOS器件；

矩形槽陣列位于N型漂移區的上方。

可選的，LDMOS器件為P型LDMOS器件；

矩形槽陣列位于P型漂移區的上方。

第二方面，本申請實施例提供了一種LDMOS器件，至少包括在襯底中的體區和漂移區，體區內包括體接觸區和源區，體接觸區和源區之間設置有淺溝槽隔離，漂移區的一端設置有漏區，柵極設置在襯底表面；

體接觸區、源區、漏區和柵極分別通過接觸孔引出層間介質層；

層間介質層內還包括矩形槽陣列，矩形槽陣列位于漂移區的上方；

其中，矩形槽陣列包括若干個矩形槽，矩形槽的開口寬度小于接觸孔的開口寬度，矩形槽的開口寬度逐漸減小。

可選的，在矩形槽陣列中，矩形槽的開口長度相同，矩形槽的開口寬度等比例縮小。

可選的，柵極兩側設置有柵極側墻。

可選的，柵極下方設置有介質層；

介質層的材料為二氧化硅。

可選的，體區和漂移區位于N型深阱的上方。