[發明專利]LDMOS器件的制作方法、LDMOS器件

有效

• 申請號: 201911324379.0
• 申請日: 2019-12-20
• 公開（公告）號: CN111180339B
• 公開（公告）日: 2021-08-24
• 發明（設計）人: 劉俊文;陳華倫;陳瑜
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/40
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 羅雅文

1.一種LDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一襯底，在所述襯底上制作體區和漂移區；

在所述體區內制作體接觸區和源區，在所述漂移區內制作漏區；所述體接觸區和所述源區之間有淺溝槽隔離；

在所述襯底表面制作柵極；

沉積層間介質層；

在所述層間介質層制作接觸孔和矩形槽陣列；所述接觸孔與所述體接觸區、所述源區、所述漏區、所述柵極分別連接，所述矩形槽陣列位于所述漂移區的上方；

其中，所述矩形槽陣列包括若干個矩形槽，所述矩形槽的開口寬度小于所述接觸孔的開口寬度，所述矩形槽的開口寬度逐漸減小。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述矩形槽陣列中，所述矩形槽的開口長度相同，所述矩形槽的開口寬度等比例縮小。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述LDMOS器件為N型LDMOS器件；

所述矩形槽陣列位于N型漂移區的上方。

4.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述LDMOS器件為P型LDMOS器件；

所述矩形槽陣列位于P型漂移區的上方。

5.一種LDMOS器件，其特征在于，至少包括在襯底中的體區和漂移區，所述體區內包括體接觸區和源區，所述體接觸區和所述源區之間設置有淺溝槽隔離，所述漂移區的一端設置有漏區，柵極設置在所述襯底表面；

所述體接觸區、所述源區、所述漏區和所述柵極分別通過接觸孔引出層間介質層；

所述層間介質層內還包括矩形槽陣列，所述矩形槽陣列位于所述漂移區的上方；

其中，所述矩形槽陣列包括若干個矩形槽，所述矩形槽的開口寬度小于所述接觸孔的開口寬度，所述矩形槽的開口寬度逐漸減小。

6.根據權利要求5所述的LDMOS器件，其特征在于，在所述矩形槽陣列中，所述矩形槽的開口長度相同，所述矩形槽的開口寬度等比例縮小。

7.根據權利要求5所述的LDMOS器件，其特征在于，所述柵極兩側設置有柵極側墻。

8.根據權利要求5所述的LDMOS器件，其特征在于，所述柵極下方設置有介質層；

所述介質層的材料為二氧化硅。

9.根據權利要求5所述的LDMOS器件，其特征在于，所述體區和所述漂移區位于N型深阱的上方，所述N型深阱位于所述襯底中。

10.根據權利要求5所述的LDMOS器件，其特征在于，所述體接觸區、所述源區、所述漏區和所述柵極的表面分別設置有硅化物合金層。

11.根據權利要求5所述的LDMOS器件，其特征在于，所述矩形槽和所述接觸孔內填充有鎢。

12.根據權利要求5至11任一所述的LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件為N型LDMOS器件；

所述矩形槽陣列位于N型漂移區的上方。

13.根據權利要求5至11任一所述的LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件為P型LDMOS器件；

所述矩形槽陣列位于P型漂移區的上方。