[發明專利]存儲器裝置與其操作方法

在審

• 申請號: 201911322465.8
• 申請日: 2019-12-20
• 公開（公告）號: CN113012739A
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發明（設計）人: 劉家銘;林銘哲;吳伯倫
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/04
• 分類號: G11C16/04;G11C16/10
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 趙平;周永君

一種存儲器裝置與其操作方法，存儲器裝置包括存儲單元陣列、第一參考單元、第二參考單元與控制單元。存儲單元陣列具有多個存儲單元。第一參考單元提供第一參考電流。第二參考單元提供第二參考電流，其中第一參考電流的電流值小于第二參考電流的電流值。控制單元耦接存儲單元、第一參考單元與第二參考單元，于數據寫入操作時，控制單元提供第一電流至一存儲單元，并讀取存儲單元回應于第一電流產生的第二電流，且依據存儲單元的數據寫入狀態，選擇比對第二電流與第一參考電流，或是比對第二電流與第二參考電流，以確定數據寫入狀態的數據寫入是否成功，有效地增加確認存儲器的可靠度及精準度。

技術領域

本發明實施例關于一種存儲器，特別是關于一種存儲器裝置與其操作方法。

背景技術

一般來說，在存儲器的存儲單元寫入數據后，可以通過感測電路讀取存儲單元的電流，并將上述電流與一預設電流進行比對，以確認存儲單元的寫入數據是否成功。然而，當上述電流與預設電流所形成的感測窗較窄，容易造成誤判的情況發生，而降低確認存儲單元的可靠度。

為了改善上述感測窗較窄導致可靠度降低的情況，可以使用二晶體管二電阻(2T2R)的架構來儲存單一位。如此，可以增加存儲單元的電流與參考電流所形成的感測窗的裕度并改善存儲單元的可靠度，但是上述設計會降低存儲器的儲存容量。因此，存儲器的設計上仍有改善的空間。

發明內容

本發明實施例提供一種存儲器裝置與其操作方法，藉以有效地增加確認存儲器的可靠度及精準度。

本發明實施例提供一種存儲器裝置，包括存儲單元陣列、第一參考單元、第二參考單元與控制單元。存儲單元陣列具有多個存儲單元。第一參考單元提供第一參考電流。第二參考單元提供第二參考電流，其中第一參考電流的電流值小于第二參考電流的電流值。控制單元耦接存儲單元、第一參考單元與第二參考單元，于數據寫入操作時，控制單元提供第一電流至一存儲單元，并讀取存儲單元回應于第一電流產生的第二電流，且依據存儲單元的數據寫入狀態，選擇比對第二電流與第一參考電流，或是比對第二電流與第二參考電流，以確定數據寫入狀態的數據寫入是否成功。

本發明實施例提供一種存儲器裝置的操作方法，包括。提供存儲單元陣列，其具有多個存儲單元。提供第一參考單元，其提供第一參考電流。提供第二參考單元，其提供第二參考電流，其中第一參考電流的電流值小于第二參考電流的電流值。于數據寫入操作時，提供第一電流至一存儲單元，并讀取存儲單元回應于第一電流產生的第二電流。存儲單元的數據寫入狀態，選擇比對第二電流與第一參考電流，或是比對第二電流與第二參考電流，以確定數據寫入狀態的數據寫入是否成功。

本發明實施例所揭露的存儲器裝置與其操作方法，可依據存儲單元的數據寫入狀態，選擇不同的參考電流以確定數據寫入狀態的數據寫入是否成功。如此一來，可以有效地增加存儲器的可靠度及精準度。

附圖說明

圖1為依據本發明一實施例的存儲單元陣列的示意圖。

圖2為依據本發明一實施例的存儲單元、第一參考單元與第二參考單元的示意圖。

圖3為依據本發明一實施例的存儲單元的數據寫入狀態為低邏輯準位時的第二電流與第二參考電流的感測窗的示意圖。

圖4為依據本發明一實施例的存儲單元的數據寫入狀態為高邏輯準位時的第二電流與第一參考電流的感測窗的示意圖。

圖5為依據本發明另一實施例的存儲單元陣列的示意圖。

圖6為依據本發明一實施例的存儲器裝置的操作方法的流程圖。

圖7為依據本發明另一實施例的存儲器裝置的操作方法的流程圖。

附圖標號：

100、500：存儲器裝置

110：存儲單元陣列