[發明專利]存儲器裝置與其操作方法

在審

• 申請號: 201911322465.8
• 申請日: 2019-12-20
• 公開（公告）號: CN113012739A
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發明（設計）人: 劉家銘;林銘哲;吳伯倫
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/04
• 分類號: G11C16/04;G11C16/10
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 趙平;周永君

1.一種存儲器裝置，其特征在于，包括：

一存儲單元陣列，具有多個存儲單元；

一第一參考單元，提供一第一參考電流；

一第二參考單元，提供一第二參考電流，其中所述第一參考電流的電流值小于所述第二參考電流的電流值；以及

一控制單元，耦接所述存儲單元、所述第一參考單元與所述第二參考單元，于一數據寫入操作時，所述控制單元提供一第一電流至一存儲單元，并讀取所述存儲單元回應于所述第一電流產生的一第二電流，且依據所述存儲單元的一數據寫入狀態，選擇比對所述第二電流與所述第一參考電流，或是比對所述第二電流與所述第二參考電流，以確定所述數據寫入狀態的一數據寫入是否成功。

2.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其特征在于，當所述存儲單元的所述數據寫入狀態為一低邏輯準位時，所述控制單元選擇比對所述第二電流與所述第一參考電流，以確定所述數據寫入狀態的所述數據寫入是否成功，當所述存儲單元的所述數據寫入狀態為一高邏輯準位時，所述控制單元選擇比對所述第二電流與所述第二參考電流，以確定所述數據寫入狀態的所述數據寫入是否成功。

3.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其特征在于，所述第一參考單元與所述第二參考單元設置于所述存儲單元陣列的側邊或周圍。

4.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其特征在于，所述第一參考單元包括多個第一子參考單元，提供多個第一子參考電流，而所述第一參考單元以所述第一子參考電流的一中位數或是一平均值作為所述第一參考電流的電流值，以及所述第二參考單元包括多個第二子參考單元，提供多個第二子參考電流，而所述第二參考單元以所述第二子參考電流的一中位數或是一平均值作為所述第二參考電流的電流值。

5.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其特征在于，所述存儲單元、所述第一參考單元與所述第二參考單元各自包括一電阻與一晶體管，且所述電阻與所述晶體管耦接。

6.根據權利要求5所述的存儲器裝置，其特征在于，所述第一參考單元的所述電阻的尺寸小于所述存儲單元與所述第二參考單元的所述電阻的尺寸。

7.根據權利要求5所述的存儲器裝置，其中所述第二參考單元的所述晶體管的尺寸大于所述存儲單元與所述第一參考單元的所述晶體管的尺寸。

8.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其特征在于，于一數據讀取操作時，所述控制單元讀取所述存儲單元所對應的所述第二電流，并依據所述第二電流、所述第一參考電流與所述第二參考電流，判斷所述存儲單元的所述數據寫入狀態的一邏輯準位。

9.根據權利要求8所述的存儲器裝置，其特征在于，所述控制單元依據所述第二電流與所述第一參考電流的一第一差值以及所述第二電流與所述第二參考電流的一第二差值，判斷所述邏輯準位為一高邏輯準位或一低邏輯準位。

10.一種存儲器裝置的操作方法，其特征在于，包括：

提供一存儲單元陣列，其具有多個存儲單元；

提供一第一參考單元，其提供一第一參考電流；

提供一第二參考單元，其提供一第二參考電流，其中所述第一參考電流的電流值小于所述第二參考電流的電流值；

于一數據寫入操作時，提供一第一電流至一存儲單元，并讀取所述存儲單元回應于所述第一電流產生的一第二電流；以及

依據所述存儲單元的一數據寫入狀態，選擇比對所述第二電流與所述第一參考電流，或是比對所述第二電流與所述第二參考電流，以確定所述數據寫入狀態的一數據寫入是否成功。