[發(fā)明專(zhuān)利]一種優(yōu)化原子層沉積的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911321990.8
• 申請(qǐng)日: 2019-12-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113005424B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-05-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄧仕杰;黃如慧
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 明基材料股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C23C16/02
• 分類(lèi)號(hào): C23C16/02;C23C16/455;C23C16/40;H01L33/56
• 代理公司: 北京志霖恒遠(yuǎn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11435
• 代理人: 胡少青;許媛媛

本發(fā)明公開(kāi)了一種優(yōu)化原子層沉積的方法，包含下列步驟：(A)提供一纖維素納米纖維；(B)以一酸化處理劑對(duì)纖維素納米纖維進(jìn)行一酸化處理；(C)以一疏水處理劑對(duì)經(jīng)酸化處理的纖維素納米纖維進(jìn)行一疏水處理；(D)將經(jīng)酸化及疏水處理的纖維素納米纖維溶于一溶劑中，形成一纖維素納米纖維溶液；(E)將纖維素納米纖維溶液涂布于一硅膠薄膜上；(F)對(duì)涂布后的硅膠薄膜進(jìn)行一加熱處理，以在硅膠薄膜的表面上形成一纖維素納米纖維層；以及(G)以原子層沉積法(Atomic Layer Deposition，ALD)在具有纖維素納米纖維層的硅膠薄膜表面形成一無(wú)機(jī)鍍膜層。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明有關(guān)于一種優(yōu)化原子層沉積的方法，其可提升硅膠上的無(wú)機(jī)鍍膜層的鍍膜質(zhì)量，特別是一種利用纖維素納米纖維改質(zhì)硅膠表面以提升硅膠上的無(wú)機(jī)鍍膜層的鍍膜質(zhì)量的方法。

背景技術(shù)

相較于傳統(tǒng)照明，發(fā)光二極管(Light Emitting Diode,LED)具有體積小、發(fā)光效率高、壽命長(zhǎng)、安全性高、操作反應(yīng)時(shí)間快、色彩豐富、無(wú)熱輻射及無(wú)水銀等有毒物質(zhì)污染的優(yōu)點(diǎn)，因此目前正迅速地蓬勃發(fā)展。其應(yīng)用面相當(dāng)多元，例如建筑照明、消費(fèi)式手持照明、零售展示照明、居住用照明等等。

一般的LED封裝結(jié)構(gòu)中包含支架、設(shè)置于支架上的LED芯片以及封裝膠。然而，現(xiàn)有的阻氣膜結(jié)構(gòu)以聚乙烯對(duì)苯二甲酸酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等具有較佳阻水氣特性的高分子材料做為基板，再利用原子層沉積法制備氧化鋁薄膜于高分子基板上而形成。然而聚乙烯對(duì)苯二甲酸酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)其柔軟性及可塑性皆不足以被應(yīng)用于高端LED產(chǎn)品中的芯片級(jí)封裝工藝(Chip Scale Package，CSP)。

因硅膠具有良好的耐熱、耐光等特性，在現(xiàn)有技術(shù)中常使用硅膠作為L(zhǎng)ED的封裝材料。然而，因硅膠中的Si-O-Si鍵角較大，因此硅膠薄膜的阻水氣特性較差，容易使LED中的熒光粉或量子點(diǎn)(Quantum dot)因受潮而導(dǎo)致顏色發(fā)生變化或光衰退。雖已知可利用增加硅膠的交聯(lián)密度或添加納米粒子來(lái)增加硅膠的阻水氣特性，但前述方法對(duì)于阻氣性的提升效果相當(dāng)有限。此外，因硅膠的熱膨脹系數(shù)(CTE)較大，在進(jìn)行形成無(wú)機(jī)薄膜的原子層沉積工藝中會(huì)產(chǎn)生較大的熱應(yīng)力，在鍍制無(wú)機(jī)鍍膜層時(shí)容易發(fā)生龜裂或皺折現(xiàn)象，導(dǎo)致作為阻氣膜的硅膠薄膜的阻氣性下降。此外，因硅膠表面不具有進(jìn)行原子層沉積所需的-OH、-NH、-COOH等較親水的官能基，疏水性較高，因此以原子層沉積法所制得的鍍膜鍍率及鍍膜質(zhì)量皆較差，不容易在硅膠表面得到致密平整的無(wú)機(jī)鍍膜。

因此，仍需要一種新穎的優(yōu)化原子層沉積的方法，其可有效提升硅膠薄膜上的無(wú)機(jī)鍍膜質(zhì)量，以有效提高硅膠薄膜的阻水氣特性，且仍能維持作為L(zhǎng)ED封裝材料所需的光學(xué)性質(zhì)并可應(yīng)用于LED封裝工藝。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提出一種優(yōu)化原子層沉積的方法，此種優(yōu)化原子層沉積的方法可有效提升硅膠薄膜的阻水氣特性，使此具阻水氣特性的硅膠薄膜可適用于LED產(chǎn)品中的芯片級(jí)封裝工藝(Chip Scale Package，CSP)，且仍能維持作為L(zhǎng)ED封裝材料所需的光學(xué)性質(zhì)。

本發(fā)明提出一種優(yōu)化原子層沉積的方法，包含下列步驟：(A)提供一纖維素納米纖維；(B)以一酸化處理劑對(duì)前述纖維素納米纖維進(jìn)行一酸化處理；(C)以一疏水處理劑對(duì)經(jīng)酸化處理的纖維素納米纖維進(jìn)行一疏水處理；(D)將經(jīng)酸化及疏水處理的纖維素納米纖維溶于一溶劑中，形成一纖維素納米纖維溶液；(E)將前述纖維素納米纖維溶液涂布于一硅膠薄膜上；(F)對(duì)涂布后的硅膠薄膜進(jìn)行一加熱處理，以在硅膠薄膜的表面上形成一纖維素納米纖維層；以及(G)以原子層沉積法(Atomic Layer Deposition，ALD)在具有纖維素納米纖維層的硅膠薄膜表面形成一無(wú)機(jī)鍍膜層。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施方式，在前述步驟(D)中，前述纖維素納米纖維溶液的濃度介于0.05w/v％至0.3w/v％之間。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施方式，在前述步驟(D)中，前述溶劑可以是水、甲苯、甲醇、乙醇、異丙醇、丙二醇甲醚、叔丁醇、丁酮、四氫呋喃或其組合中的至少之一。