[發明專利]一種優化原子層沉積的方法

有效

• 申請號: 201911321990.8
• 申請日: 2019-12-20
• 公開（公告）號: CN113005424B
• 公開（公告）日: 2022-05-06
• 發明（設計）人: 鄧仕杰;黃如慧
• 申請（專利權）人: 明基材料股份有限公司
• 主分類號: C23C16/02
• 分類號: C23C16/02;C23C16/455;C23C16/40;H01L33/56
• 代理公司: 北京志霖恒遠知識產權代理事務所(普通合伙) 11435
• 代理人: 胡少青;許媛媛

1.一種優化原子層沉積的方法，其特征在于，包含下列步驟：

(A)提供一纖維素納米纖維；

(B)以一酸化處理劑對所述纖維素納米纖維進行一酸化處理；

(C)以一疏水處理劑對經酸化處理的所述纖維素納米纖維進行一疏水處理；

(D)將經酸化及疏水處理的所述纖維素納米纖維溶于一溶劑中，形成一纖維素納米纖維溶液；

(E)將所述纖維素納米纖維溶液涂布于一硅膠薄膜上；

(F)對涂布后的硅膠薄膜進行一加熱處理，以在所述硅膠薄膜的表面上形成一纖維素納米纖維層；以及

(G)以原子層沉積法(Atomic Layer Deposition，ALD)在具有纖維素納米纖維層的硅膠薄膜表面上形成一無機鍍膜層。

2.如權利要求1所述的優化原子層沉積的方法，其特征在于，在前述步驟(D)中，所述纖維素納米纖維溶液的濃度介于0.05w/v％至0.3w/v％之間。

3.如權利要求1所述的優化原子層沉積的方法，其特征在于，在前述步驟(D)中，所述溶劑選自由水、甲苯、甲醇、乙醇、異丙醇、丙二醇甲醚、叔丁醇、丁酮、四氫呋喃、以及其組合所組成的群組中的至少之一。

4.如權利要求1所述的優化原子層沉積的方法，其特征在于，在前述步驟(F)中，所述纖維素納米纖維層的厚度介于0.2微米(μm)至1.6微米(μm)之間。

5.如權利要求1所述的優化原子層沉積的方法，其特征在于，在前述步驟(F)中，所述加熱處理的溫度介于40℃至120℃之間，加熱時間介于1分鐘至30分鐘之間。

6.如權利要求1所述的優化原子層沉積的方法，其特征在于，在前述步驟(G)中，所述無機鍍膜層的厚度介于10納米(nm)至300納米(nm)之間。

7.如權利要求1所述的優化原子層沉積的方法，其特征在于，在前述步驟(G)中，所述無機鍍膜層包括二氧化硅(SiO₂)、三氧化二鋁(Al₂O₃)或二氧化鉿(HfO₂)。

8.如權利要求1所述的優化原子層沉積的方法，其特征在于，在前述步驟(B)中，所述酸化處理劑包含鹽酸、硫酸、硝酸、醋酸或三氟甲磺酸。

9.如權利要求8所述的優化原子層沉積的方法，其特征在于，在前述步驟(B)中，所述酸化處理劑的濃度介于0.1N至10N之間。

10.如權利要求1所述的優化原子層沉積的方法，其特征在于，在前述步驟(C)中，所述疏水處理劑包含一具有C6至C18的長碳鏈胺基化合物。

11.如權利要求1所述的優化原子層沉積的方法，其特征在于，在前述步驟(C)中，所述疏水處理劑包含六胺、十二胺、十八胺、溴化十六烷基三甲胺或十八烷基三甲基氯化銨。

12.如權利要求10所述的優化原子層沉積的方法，其特征在于，在前述步驟(C)中，所述疏水處理劑的濃度介于0.1wt％至5wt％之間。

13.一種具有無機鍍膜層的硅膠薄膜，其特征在于，其通過如權利要求1至12中任一項所述的優化原子層沉積的方法所獲得。

14.如權利要求13所述的具有無機鍍膜層的硅膠薄膜，其特征在于，前述具有無機鍍膜層的硅膠薄膜的水氣穿透率(WVTR)小于1gm^-2day^-1。

15.一種光學半導體裝置，其特征在于，前述光學半導體裝置由權利要求13所述的具有無機鍍膜層的硅膠薄膜封裝而成。