[發明專利]氣體混合裝置及半導體加工設備

有效

• 申請號: 201911317364.1
• 申請日: 2019-12-19
• 公開（公告）號: CN110917914B
• 公開（公告）日: 2022-09-16
• 發明（設計）人: 張少雷;鄭波;馬振國;徐剛
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: B01F23/10
• 分類號: B01F23/10;B01F25/44;B01J19/00
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張天舒

本發明提供一種氣體混合裝置及半導體加工設備，氣體混合裝置包括引流組件、混合腔和出氣組件，其中，引流組件與用于提供多種工藝氣體的多個工藝氣體管路連接，用于將每種工藝氣體均分流為多股氣流；且引流組件還與混合腔連通，用于將分流形成的多種工藝氣體的每股氣流均輸送至混合腔中；出氣組件分別與混合腔和反應腔室的進氣組件連接，用于將多種工藝氣體在混合腔中混合后的氣體輸送至反應腔室中。本發明提供的氣體混合裝置及半導體加工設備，能夠提高多種工藝氣體在進入反應腔室前的預混合效果，從而提高半導體加工工藝的工藝效果。

技術領域

本發明涉及半導體設備技術領域，具體地，涉及一種氣體混合裝置及半導體加工設備。

背景技術

化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition，CVD)是半導體工業中應用最為廣泛一種沉積技術，通常是在反應腔室中通入兩種或者兩種以上的工藝氣體，輔以溫度和壓力等工藝條件的控制，實現多種工藝氣體之間的化學反應，從而在晶片上沉積需要的薄膜。

在化學氣相沉積工藝裝備中，多種工藝氣體需要在進入反應腔室前進行預混合，但是，由于一般使用的管路內徑小，工藝氣體在管路中混合很難達到理想的混合效果，從而導致工藝結果不穩定

發明內容

本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一，提出了一種氣體混合裝置及半導體加工設備，能夠提高多種工藝氣體在進入反應腔室前的預混合效果，從而提高半導體加工工藝的工藝效果。

為實現本發明的目的而提供一種氣體混合裝置，包括引流組件、混合腔和出氣組件，其中，

所述引流組件與用于提供多種工藝氣體的多個工藝氣體管路連接，用于將每種所述工藝氣體均分流為多股氣流；且所述引流組件還與所述混合腔連通，用于將分流形成的多種所述工藝氣體的每股氣流均輸送至所述混合腔中；

所述出氣組件分別與所述混合腔和反應腔室的進氣組件連接，用于將多種所述工藝氣體在所述混合腔中混合后的氣體輸送至所述反應腔室中。

優選的，所述引流組件包括第一引流件和第二引流件，其中，所述第一引流件設置有第一引流口，所述第一引流口與多個所述工藝氣體管路中的一個所述工藝氣體管路連接；

所述第二引流件與所述第一引流件連接，并設置有多條第一分流氣道、多條第二分流氣道和至少一個第二引流口，所述第二引流口的數量與多個所述工藝氣體管路除與所述第一引流口連接的所述工藝氣體管路的數量相同，并一一對應連接；

每條所述第一分流氣道均與所述混合腔和所述第一引流口連接，用于將自所述第一引流口進入的工藝氣體進行分流，每條所述第二分流氣道均與所述混合腔和所有的所述第二引流口連接，用于將自所述第二引流口進入的工藝氣體進行分流。

優選的，當所述工藝氣體管路具有三條或三條以上時，所述第二引流件設置有多個第二引流口，且多個所述第二引流口沿所述第二引流件的周向間隔設置。

優選的，當所述工藝氣體管路具有三條或三條以上時，所述第二引流件包括多個子引流件，多個子引流件在所述第一引流件至所述反應腔室的方向上依次設置；

每個所述子引流件均設置有一個所述第二引流口，且每個所述子引流件均設置有多條第一子分流氣道和多條第二子分流氣道，其中，多個所述子引流件中，靠近所述第一引流件的所述子引流件中的每條所述第一子分流氣道均與所述第一引流口連接，靠近所述混合腔的所述子引流件中的每條所述第一子分流氣道均與所述混合腔連接，相鄰的所述子引流件的多條所述第一子分流氣道一一對應的相互連通，多個所述子引流件的多條所述第一子分流氣道形成多條所述第一分流氣道；