[發(fā)明專利]一種具有振蕩限幅功能的晶體振蕩器電路在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911316401.7 | 申請日： | 2019-12-17 |
| 公開（公告）號： | CN111030598A | 公開（公告）日： | 2020-04-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 莫昌文;周正;田基業(yè);蘇圣杰 | 申請（專利權(quán)）人： | 珠海巨晟科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H03B5/12 | 分類號： | H03B5/12 |
| 代理公司： | 廣東朗乾律師事務(wù)所 44291 | 代理人： | 閆有幸 |
| 地址： | 519000 廣東省珠海市高*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 具有 振蕩 限幅 功能 晶體振蕩器 電路 | ||
本發(fā)明公開了一種具有振蕩限幅功能的晶體振蕩器電路，包括電流源、晶體振蕩器核心電路及振蕩限幅控制電路，晶體振蕩器核心電路包括反相器、反饋電阻、晶振、比較器、緩沖器、第一電容及第二電容；所述振蕩限幅控制電路包括第三電容、第四P溝道MOS管以及跨導(dǎo)運(yùn)算放大器；所述第四P溝道MOS管的源極、第三電容的一端以及跨導(dǎo)運(yùn)算放大器的反相輸入端與所述反相器的驅(qū)動端連接；所述第四P溝道MOS管的柵極與第三電容的另一端以及跨導(dǎo)運(yùn)算放大器的輸出端連接，漏極接地；所述跨導(dǎo)運(yùn)算放大器的同相輸入端接收參考電壓；本發(fā)明通過振蕩限幅控制電路對振蕩幅度較大的晶體振蕩器核心電路進(jìn)行鉗位限幅，限制晶體振蕩器核心電路輸出信號的振蕩幅度。
〖技術(shù)領(lǐng)域〗
本發(fā)明涉及晶體振蕩器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種具有振蕩限幅功能的晶體振蕩器電路。
〖背景技術(shù)〗
晶體振蕩器具有很好的頻率準(zhǔn)確度和穩(wěn)定度，且體積小、功耗低，常被用作時間頻率基準(zhǔn)，廣泛應(yīng)用于通信、雷達(dá)、導(dǎo)航和制導(dǎo)等系統(tǒng)中。晶體振蕩器能夠?yàn)楦鞣N電子系統(tǒng)提供高精度的時鐘信號，在一些對晶振時鐘性能要求比較高的應(yīng)用中，晶體振蕩器的幅度過大，意味著晶體振蕩器被過驅(qū)動，會加大晶體振蕩器的輻射干擾較大，影響晶振時鐘的相位噪聲特性。因此，對晶體振蕩幅度進(jìn)行控制成為本領(lǐng)域技術(shù)人員需要解決的技術(shù)問題。
〖發(fā)明內(nèi)容〗
本發(fā)明的目的旨在提供一種具有振蕩限幅功能的晶體振蕩器電路，對晶體振蕩器電路輸出信號的幅度進(jìn)行控制，提高晶體振蕩器電路的可靠性。
為了本發(fā)明的目的，本發(fā)明采取的技術(shù)方案如下：
一種具有振蕩限幅功能的晶體振蕩器電路，包括電流源、晶體振蕩器核心電路，晶體振蕩器核心電路包括反相器、反饋電阻、晶振、比較器、緩沖器、第一電容以及第二電容；電流源的電流輸出端與反相器的驅(qū)動端連接；反相器的輸入端和輸出端分別與反饋電阻的兩端、晶振的輸入端和輸出端、比較器的兩個輸入端、第一電容的一端和第二電容的一端連接，接地端接地；比較器的輸出端與緩沖器的輸入端連接，緩沖器的輸出端輸出時鐘信號；
所述具有振蕩限幅功能的晶體振蕩器電路還包括振蕩限幅控制電路；所述振蕩限幅控制電路包括第三電容、第四P溝道MOS管以及跨導(dǎo)運(yùn)算放大器；所述第四P溝道MOS管的源極、第三電容的一端以及跨導(dǎo)運(yùn)算放大器的反相輸入端與所述反相器的驅(qū)動端連接；所述第四P溝道MOS管的柵極與第三電容的另一端以及跨導(dǎo)運(yùn)算放大器的輸出端連接，漏極接地；所述跨導(dǎo)運(yùn)算放大器的同相輸入端接收參考電壓。
作為具體的實(shí)施方式，所述電流源包括第零獨(dú)立電流源、第一獨(dú)立電流源、第二獨(dú)立電流源……第N獨(dú)立電流源、第二開關(guān)至第N開關(guān)，N為正整數(shù)，且N≥2；所述第零獨(dú)立電流源的輸入端接收參考電流，輸出端與第一獨(dú)立電流源的輸入端、第二獨(dú)立電流源的輸入端……第N獨(dú)立電流源的輸入端連接；所述第一獨(dú)立電流源的輸出端與反相器的驅(qū)動端連接，第二獨(dú)立電流源至第N獨(dú)立電流源的輸出端分別與第二開關(guān)的一端至第N開關(guān)的一端連接，第二開關(guān)的另一端至第N開關(guān)的另一端均與反相器的驅(qū)動端連接。
作為具體的實(shí)施方式，所述第零獨(dú)立電流源包括第零P溝道MOS管，第零P溝道MOS管的漏極接收參考電流，柵極與漏極連接，且與第一獨(dú)立電流源的輸入端、第二獨(dú)立電流源的輸入端……第N獨(dú)立電流源的輸入端連接。
作為具體的實(shí)施方式，所述第n獨(dú)立電流源包括第n個P溝道MOS管，第n個P溝道MOS管的柵極與第零獨(dú)立電流源的輸出端連接，n為正整數(shù)，且2≤n≤N；所述第n個P溝道MOS管的源極接電源，漏極與第n開關(guān)的一端連接。
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