[發明專利]一種具有振蕩限幅功能的晶體振蕩器電路

在審

• 申請號: 201911316401.7
• 申請日: 2019-12-17
• 公開（公告）號: CN111030598A
• 公開（公告）日: 2020-04-17
• 發明（設計）人: 莫昌文;周正;田基業;蘇圣杰
• 申請（專利權）人: 珠海巨晟科技股份有限公司
• 主分類號: H03B5/12
• 分類號: H03B5/12
• 代理公司: 廣東朗乾律師事務所 44291
• 代理人: 閆有幸

1.一種具有振蕩限幅功能的晶體振蕩器電路，包括電流源、晶體振蕩器核心電路，晶體振蕩器核心電路包括反相器、反饋電阻、晶振、比較器、緩沖器、第一電容以及第二電容；電流源的電流輸出端與反相器的驅動端連接；反相器的輸入端和輸出端分別與反饋電阻的兩端、晶振的輸入端和輸出端、比較器的兩個輸入端、第一電容的一端和第二電容的一端連接，接地端接地；比較器的輸出端與緩沖器的輸入端連接，緩沖器的輸出端輸出時鐘信號；其特征在于：

還包括振蕩限幅控制電路；所述振蕩限幅控制電路包括第三電容、第四P溝道MOS管以及跨導運算放大器；所述第四P溝道MOS管的源極、第三電容的一端以及跨導運算放大器的反相輸入端與所述反相器的驅動端連接；所述第四P溝道MOS管的柵極與第三電容的另一端以及跨導運算放大器的輸出端連接，漏極接地；所述跨導運算放大器的同相輸入端接收參考電壓。

2.根據權利要求1所述的具有振蕩限幅功能的晶體振蕩器電路，其特征在于：所述電流源包括第零獨立電流源、第一獨立電流源、第二獨立電流源……第N獨立電流源、第二開關至第N開關，N為正整數，且N≥2；所述第零獨立電流源的輸入端接收參考電流，輸出端與第一獨立電流源的輸入端、第二獨立電流源的輸入端……第N獨立電流源的輸入端連接；所述第一獨立電流源的輸出端與反相器的驅動端連接，第二獨立電流源至第N獨立電流源的輸出端分別與第二開關的一端至第N開關的一端連接，第二開關的另一端至第N開關的另一端均與反相器的驅動端連接。

3.根據權利要求2所述的具有振蕩限幅功能的晶體振蕩器電路，其特征在于：所述第零獨立電流源包括第零P溝道MOS管，第零P溝道MOS管的漏極接收參考電流，柵極與漏極連接，且與第一獨立電流源的輸入端、第二獨立電流源的輸入端……第N獨立電流源的輸入端連接。

4.根據權利要求2所述的具有振蕩限幅功能的晶體振蕩器電路，其特征在于：所述第n獨立電流源包括第n個P溝道MOS管，第n個P溝道MOS管的柵極與第零獨立電流源的輸出端連接，n為正整數，且2≤n≤N；所述第n個P溝道MOS管的源極接電源，漏極與第n開關的一端連接。

5.根據權利要求1至4任意一項所述的具有振蕩限幅功能的晶體振蕩器電路，其特征在于：所述反相器包括第一P溝道MOS管、第二P溝道MOS管、第三P溝道MOS管、第一N溝道MOS管、第二N溝道MOS管以及第三N溝道MOS管；所述第一P溝道MOS管的源極、第二P溝道MOS管的源極以及第三P溝道MOS管的源極相互連接，連接點為所述反相器的驅動端；所述第一P溝道MOS管的柵極與第一N溝道MOS管的柵極連接，連接點為所述反相器的輸入端，所述第一P溝道MOS管的柵極與第二P溝道MOS管的柵極、第三P溝道MOS管的柵極連接，所述第一N溝道MOS管的柵極與第二N溝道MOS管的柵極、第三N溝道MOS管的柵極連接；第三P溝道MOS管的漏極與第三N溝道MOS管的漏極連接，連接點為所述反相器的輸出端，所述第一P溝道MOS管的漏極、第二P溝道MOS管MP2的漏極分別與第一N溝道MOS管MN1的漏極、第二N溝道MOS管MN2的漏極連接，并與第三P溝道MOS管MP3的漏極、第三N溝道MOS管MN3的漏極連接；所述第一N溝道MOS管的源極、第二N溝道MOS管的源極以及第三N溝道MOS管的源極連接，連接點為所述反相器的接地端。

6.根據權利要求5所述的具有振蕩限幅功能的晶體振蕩器電路，其特征在于：還包括第四N溝道MOS管；第四N溝道MOS管的柵極與所述反相器的驅動端連接，源極和漏極接地。