[發(fā)明專利]基板載置臺及基板處理裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911314810.3
• 申請日: 2019-12-19
• 公開（公告）號: CN111383986A
• 公開（公告）日: 2020-07-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 多賀敏;佐藤直行;西田辰夫
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01J37/32
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 徐殿軍

例示性實(shí)施方式所涉及的基板載置臺具備基座及設(shè)置于基座上的靜電卡盤。靜電卡盤具備層疊部、中間層及包覆層。層疊部設(shè)置于基座上。中間層設(shè)置于層疊部上。包覆層設(shè)置于中間層上。層疊部具備第1層、電極層及第2層。第1層設(shè)置于基座上。電極層設(shè)置于第1層上。第2層設(shè)置于電極層上。中間層設(shè)置于第2層與包覆層之間，且與第2層和包覆層緊貼。第2層為樹脂層。包覆層為陶瓷。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開的例示性實(shí)施方式涉及一種基板載置臺及基板處理裝置。

背景技術(shù)

載置于載置臺上的基板(晶圓)能夠被靜電卡盤保持。靜電卡盤通過靜電力將晶圓靜電吸附于載置臺。專利文獻(xiàn)1(日本特開2008-117982號公報)中公開的載置裝置具備載置體及靜電卡盤。載置體載置被處理體。靜電卡盤具備絕緣層及埋設(shè)于絕緣層的電極層。通過靜電卡盤，對電極層施加電壓，由此在電極層與被處理體之間產(chǎn)生靜電力而在絕緣層的表面靜電吸附被處理體。作為電極層的表面?zhèn)鹊慕^緣層的靜電卡盤層為通過等離子體噴鍍形成的200～280μm厚度的氧化釔噴鍍層。靜電卡盤層的表面形成為依賴于所噴鍍的氧化釔的粒徑的表面粗糙度。

發(fā)明內(nèi)容

例示性實(shí)施方式中，提供基板載置臺。基板載置臺具備基座及設(shè)置于基座上的靜電卡盤。靜電卡盤具備層疊部、中間層及包覆層。層疊部設(shè)置于基座上。中間層設(shè)置于層疊部上。包覆層設(shè)置于中間層上。層疊部具備第1層、電極層及第2層。第1層設(shè)置于基座上。電極層設(shè)置于第1層上。第2層設(shè)置于電極層上。中間層設(shè)置于第2層與包覆層之間，且與第2層和包覆層緊貼。第2層為樹脂層。包覆層為陶瓷。

附圖說明

圖1為表示例示性實(shí)施方式所涉及的基板載置臺的結(jié)構(gòu)的一例的圖。

圖2為表示圖1所示的基板載置臺的端部的結(jié)構(gòu)的一例的圖。

圖3為表示圖1所示的基板載置臺的一部分的結(jié)構(gòu)的一例的圖。

圖4為表示圖1所示的基板載置臺的端部的結(jié)構(gòu)的另一例的圖。

圖5為表示圖1所示的基板載置臺的端部的結(jié)構(gòu)的另一例的圖。

圖6為用于說明圖2～5各自所示的包覆層的形成方法的圖。

圖7為表示設(shè)置有圖1所示的基板載置臺的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的一例的圖。

圖8為表示圖1所示的基板載置臺的端部的結(jié)構(gòu)的另一例的圖。

圖9為表示圖1所示的基板載置臺的端部的結(jié)構(gòu)的另一例的圖。

圖10為表示圖1所示的基板載置臺的端部的結(jié)構(gòu)的另一例的圖。

圖11為表示圖1所示的基板載置臺的端部的結(jié)構(gòu)的另一例的圖。

圖12為表示圖1所示的基板載置臺的端部的結(jié)構(gòu)的另一例的圖。

圖13為表示圖1所示的基板載置臺的端部的結(jié)構(gòu)的另一例的圖。

圖14為表示圖1所示的基板載置臺的端部的結(jié)構(gòu)的另一例的圖。

圖15為表示圖1所示的基板載置臺的端部的結(jié)構(gòu)的另一例的圖。

圖16為表示圖1所示的基板載置臺的端部的結(jié)構(gòu)的另一例的圖。

圖17為表示圖1所示的基板載置臺的端部的結(jié)構(gòu)的另一例的圖。

圖18為表示圖1所示的基板載置臺的端部的結(jié)構(gòu)的另一例的圖。

圖19為表示圖1所示的基板載置臺的端部的結(jié)構(gòu)的另一例的圖。

圖20為表示圖1所示的基板載置臺的端部的結(jié)構(gòu)的另一例的圖。

圖21為表示圖1所示的基板載置臺的端部的結(jié)構(gòu)的另一例的圖。