[發明專利]基板載置臺及基板處理裝置在審
| 申請號: | 201911314810.3 | 申請日: | 2019-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN111383986A | 公開(公告)日: | 2020-07-07 |
| 發明(設計)人: | 多賀敏;佐藤直行;西田辰夫 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01J37/32 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿軍 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基板載置臺 處理 裝置 | ||
1.一種基板載置臺,其具備:
基座;及
靜電卡盤,設置于所述基座上,
所述靜電卡盤具備:
層疊部,設置于所述基座上;
中間層,設置于所述層疊部上;及
包覆層,設置于所述中間層上,
所述層疊部具備設置于所述基座上的第1層、設置于該第1層上的電極層及設置于該電極層上的第2層,
所述中間層設置于所述第2層與所述包覆層之間,且與該第2層和該包覆層緊貼,
所述第2層為樹脂層,
所述包覆層為陶瓷。
2.根據權利要求1所述的基板載置臺,其中,
所述第1層為樹脂層。
3.根據權利要求2所述的基板載置臺,其中,
所述基座具備主體部及設置于該基座的側面的側壁部,
所述靜電卡盤配置于所述主體部及所述側壁部上,
所述第1層及所述第2層各自的直徑大于所述主體部的直徑,
所述第1層及所述第2層以與所述側壁部重疊的方式在所述基座上延伸。
4.根據權利要求2或3所述的基板載置臺,其中,
所述中間層具備覆蓋所述層疊部的側面的端部區域,
所述端部區域與所述基座接觸,且具有前端向遠離所述層疊部的方向變細的錐形形狀。
5.根據權利要求4所述的基板載置臺,其中,
所述端部區域的錐角為45°以下。
6.根據權利要求2~5中任一項所述的基板載置臺,其中,
所述第1層的材料及所述第2層的材料為聚酰亞胺樹脂、硅樹脂、環氧樹脂或丙烯酸樹脂中的任一種。
7.根據權利要求1所述的基板載置臺,其還具備:
端部區域,
所述端部區域覆蓋所述層疊部的側面,
所述端部區域的材料為樹脂或絕緣體,
所述第1層為絕緣層或樹脂層。
8.根據權利要求7所述的基板載置臺,其中,
所述第1層為絕緣層時該第1層的材料為陶瓷,
所述第1層為樹脂層時該第1層的材料為聚酰亞胺樹脂、硅樹脂、環氧樹脂或丙烯酸樹脂中的任一種,
所述第2層的材料為聚酰亞胺樹脂、硅樹脂、環氧樹脂或丙烯酸樹脂中的任一種。
9.根據權利要求7或8所述的基板載置臺,其中,
樹脂的所述端部區域具有前端向遠離所述層疊部的方向變細的錐形形狀。
10.根據權利要求7或8所述的基板載置臺,其中,
所述基座在該基座的表面具有絕緣區域,
所述絕緣區域具有沿所述層疊部的側面延伸的部位,樹脂的所述端部區域設置于該層疊部的該側面與該絕緣區域的該部位之間。
11.根據權利要求7或8所述的基板載置臺,其中,
所述基座具備主體部及設置于該基座的側面的側壁部,
所述靜電卡盤配置于所述主體部及所述側壁部上,
所述第1層及所述第2層各自的內徑小于所述主體部的內徑,
所述第1層及所述第2層以與所述側壁部重疊的方式在所述基座上延伸,
所述側壁部的表面具有沿所述層疊部的側面延伸的部位,樹脂的所述端部區域設置于該層疊部的該側面與該側壁部的該表面的該部位之間。
12.根據權利要求1~11中任一項所述的基板載置臺,其中,
所述電極層的直徑小于所述第1層及所述第2層各自的直徑。
13.根據權利要求1~12中任一項所述的基板載置臺,其中,
所述中間層包覆設置于所述基座的所述層疊部的整個表面。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





