[發明專利]半導體封裝件

在審

• 申請號: 201911308405.0
• 申請日: 2019-12-18
• 公開（公告）號: CN112133678A
• 公開（公告）日: 2020-12-25
• 發明（設計）人: 李潤泰;金漢;金亨俊
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/498
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 張紅;馬金霞

1.一種半導體封裝件，包括：

框架，具有彼此電連接的多個布線層，并且具有凹槽，在所述凹槽上設置有止擋層；

半導體芯片，設置在所述凹槽中并且包括主體和貫穿過孔，所述主體具有第一表面以及與所述第一表面背對的第二表面，在所述第一表面上設置有連接焊盤，所述貫穿過孔貫穿所述主體的所述第一表面與所述第二表面之間的區域的至少一部分，所述第二表面面對所述止擋層；

包封劑，覆蓋所述框架和所述半導體芯片中的每個的至少一部分，并且填充所述凹槽的至少一部分；

第一連接結構，設置在所述框架的下側上和所述半導體芯片的所述第一表面上，并且包括一個或更多個第一重新分布層；以及

第二連接結構，設置在所述框架的上側上和所述半導體芯片的所述第二表面上，并且包括一個或更多個第二重新分布層。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，在與堆疊方向垂直的平面上，所述第一連接結構包括第一區域和第二區域，所述第一區域與所述半導體芯片重疊，所述第二區域圍繞所述第一區域并與所述框架重疊，并且

所述一個或更多個第一重新分布層包括：第一信號圖案，位于所述第一區域中；第二信號圖案，位于從所述第一區域延伸到所述第二區域的區域中；以及電力圖案和接地圖案中的至少一個，位于所述第二區域中。

3.根據權利要求2所述的半導體封裝件，其中，在所述第一連接結構中所述第一信號圖案和所述第二信號圖案彼此斷開。

4.根據權利要求2所述的半導體封裝件，其中，所述連接焊盤包括電連接到所述第一信號圖案的第一連接焊盤和電連接到所述第二信號圖案的第二連接焊盤，

所述第一連接焊盤通過所述第一信號圖案在所述第一區域中重新分布，并且所述第二連接焊盤通過所述第二信號圖案從所述第一區域重新分布到所述第二區域。

5.根據權利要求4所述的半導體封裝件，其中，所述多個布線層包括電力圖案和接地圖案中的至少一個，

所述一個或更多個第二重新分布層包括電力圖案和接地圖案中的至少一個，并且

所述第二區域的電力圖案和接地圖案中的至少一個與所述貫穿過孔通過順序地或逆序地穿過所述多個布線層的電力圖案和接地圖案中的至少一個、所述一個或更多個第二重新分布層的電力圖案和接地圖案中的至少一個以及所述止擋層的電路徑而彼此電連接。

6.根據權利要求5所述的半導體封裝件，所述半導體封裝件還包括設置在所述第二連接結構的上方的無源組件，

其中，所述無源組件電連接到所述一個或更多個第二重新分布層的電力圖案和接地圖案中的至少一個。

7.根據權利要求5所述的半導體封裝件，其中，所述多個布線層還包括信號圖案，

所述一個或更多個第二重新分布層還包括信號圖案，并且

所述一個或更多個第二重新分布層的信號圖案和所述第二連接焊盤通過順序地或逆序地穿過所述第二信號圖案和所述多個布線層的信號圖案的電路徑而彼此電連接。

8.根據權利要求7所述的半導體封裝件，所述半導體封裝件還包括存儲器結構，所述存儲器結構設置在所述第二連接結構的上方并包括至少一個存儲器芯片，

其中，所述存儲器結構經由電連接金屬件以層疊封裝的形式設置在所述第二連接結構上，并且

其中，所述至少一個存儲器芯片電連接到所述一個或更多個第二重新分布層的信號圖案。

9.根據權利要求8所述的半導體封裝件，其中，所述半導體芯片是應用處理器芯片。

10.根據權利要求2所述的半導體封裝件，所述半導體封裝件還包括設置在所述第一連接結構的下方的電連接金屬件，

其中，所述電連接金屬件包括：第一電連接金屬件，設置于在所述平面上與所述第一區域重疊的區域中，并且電連接到所述第一信號圖案；以及第二電連接金屬件，設置于在所述平面上與所述第二區域重疊的區域中，并且電連接到所述第二區域的電力圖案和接地圖案中的至少一個。