[發(fā)明專利]顯示背板及其制作方法、顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911307985.1 | 申請(qǐng)日: | 2019-12-18 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111048527B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-04-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黎飛;曹惠敏;魏悅;鄒富偉;鄧偉;潘康觀;鄧?yán)?/a>;張震 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/12 | 分類號(hào): | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 尹璐 |
| 地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 背板 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
本發(fā)明提出了顯示背板及其制作方法、顯示裝置。該顯示背板包括:襯底,該襯底上限定有膜上芯片區(qū);柵極,設(shè)置在襯底的一側(cè);絕緣層,設(shè)置在柵極遠(yuǎn)離襯底的一側(cè),且在膜上芯片區(qū)內(nèi)具有第一開(kāi)口;第一數(shù)據(jù)線,覆蓋絕緣層,且通過(guò)第一開(kāi)口與柵極接觸;鈍化層,覆蓋第一數(shù)據(jù)線;第二數(shù)據(jù)線,設(shè)置在鈍化層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)且具有第二開(kāi)口,并且,第一開(kāi)口在襯底上的正投影落入第二開(kāi)口在襯底上的正投影之內(nèi)。本發(fā)明所提出的顯示背板,其膜上芯片區(qū)的第一開(kāi)孔處中的第二數(shù)據(jù)線可以被刻蝕出第二開(kāi)口,從而避免第一開(kāi)孔的斜坡處在后續(xù)陽(yáng)極濕刻之后容易產(chǎn)生暗點(diǎn),進(jìn)而提升雙源漏電極結(jié)構(gòu)的顯示背板的制作良品率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示制作技術(shù)領(lǐng)域,具體的,本發(fā)明涉及顯示背板及其制作方法、顯示裝置。
背景技術(shù)
為了改善有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)屏幕的亮度不均問(wèn)題,大尺寸、高頻的有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體(AMOLED屏幕)可以設(shè)計(jì)成雙層源漏電極(SD)的工藝結(jié)構(gòu)。由于雙SD結(jié)構(gòu)中,參考圖2,膜上芯片(COF)區(qū)的第一數(shù)據(jù)線(SD1)400與柵極(Gate)200連接的小孔302比較深且坡度角也較大,當(dāng)濺鍍(sputter)形成第二數(shù)據(jù)線(SD2)600時(shí),最上面鈦(Ti)亞層在小孔的兩側(cè)斜坡處容易出現(xiàn)缺失,從而導(dǎo)致鋁(Al)亞層裸露在外面。在后續(xù)的陽(yáng)極(Anode)濕刻工藝時(shí),Al與陽(yáng)極濕刻藥液容易反應(yīng)生成銀點(diǎn)(Ag partical),從而導(dǎo)致顯示暗點(diǎn)等的不良缺陷。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是基于發(fā)明人的下列發(fā)現(xiàn)而完成的:
本發(fā)明的發(fā)明人針對(duì)雙SD結(jié)構(gòu)COF區(qū)的小孔位置容易出現(xiàn)暗點(diǎn)的問(wèn)題,通過(guò)對(duì)小孔區(qū)域結(jié)構(gòu)的優(yōu)化設(shè)計(jì),將COF區(qū)小孔位置附近的第二數(shù)據(jù)線刻蝕掉,從而有效地降低暗點(diǎn)的風(fēng)險(xiǎn)。此外,還可以用有機(jī)膜層包覆住刻蝕后的第二數(shù)據(jù)線側(cè)邊,從而徹底地防止陽(yáng)極刻蝕液與第二數(shù)據(jù)線中的Al反應(yīng)生成銀點(diǎn)的風(fēng)險(xiǎn)。
在本發(fā)明的第一方面,本發(fā)明提出了一種顯示背板。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,所述顯示背板包括:襯底,所述襯底上限定有膜上芯片區(qū);柵極,所述柵極設(shè)置在所述襯底的一側(cè);絕緣層,所述絕緣層設(shè)置在所述柵極遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè),且在所述膜上芯片區(qū)內(nèi)具有第一開(kāi)口;第一數(shù)據(jù)線,所述第一數(shù)據(jù)線覆蓋所述絕緣層,且通過(guò)所述第一開(kāi)口與所述柵極接觸;鈍化層,所述鈍化層覆蓋所述第一數(shù)據(jù)線;第二數(shù)據(jù)線,所述第二數(shù)據(jù)線設(shè)置在所述鈍化層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè),且具有第二開(kāi)口,并且,所述第一開(kāi)口在所述襯底上的正投影落入所述第二開(kāi)口在所述襯底上的正投影之內(nèi)。
本發(fā)明實(shí)施例的顯示背板,其膜上芯片區(qū)的第一開(kāi)孔處中的第二數(shù)據(jù)線可以被刻蝕出第二開(kāi)口,從而避免第一開(kāi)孔的斜坡處在后續(xù)陽(yáng)極濕刻之后容易產(chǎn)生暗點(diǎn),進(jìn)而提升雙源漏電極結(jié)構(gòu)的顯示背板的制作良品率。
另外,根據(jù)本發(fā)明上述實(shí)施例的顯示背板,還可以具有如下附加的技術(shù)特征:
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,所述第二數(shù)據(jù)線包括層疊設(shè)置的第一亞層、第二亞層和第三亞層,其中,形成所述第一亞層和所述第三亞層的材料包括鈦,形成所述第二亞層的材料包括鋁。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,所述第一開(kāi)口的深度為1~3微米,且所述第一開(kāi)口的坡度角為65°~75°。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,所述顯示背板進(jìn)一步包括:第一有機(jī)層,所述第一有機(jī)層設(shè)置在所述第二開(kāi)口中且與所述第二數(shù)據(jù)線接觸,并且環(huán)繞所述第一開(kāi)口設(shè)置。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,所述第一有機(jī)層的厚度與所述第二數(shù)據(jù)線的厚度相同。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,所述鈍化層具有第三開(kāi)口,且所述第二數(shù)據(jù)線通過(guò)所述第三開(kāi)口與所述第一數(shù)據(jù)線接觸,并且,所述第三開(kāi)口在所述襯底上的正投影與所述第一開(kāi)口在所述襯底上的正投影不重疊。
在本發(fā)明的第二方面,本發(fā)明提出了一種制作顯示背板的方法。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





