[發明專利]一種新型的GPP芯片藍膜加工方法

在審

• 申請號: 201911303878.1
• 申請日: 2019-12-17
• 公開（公告）號: CN111092045A
• 公開（公告）日: 2020-05-01
• 發明（設計）人: 周榮;廖智煒;李英男;王林;王毅
• 申請（專利權）人: 揚州杰利半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/78;B23K26/38;B23K26/402
• 代理公司: 揚州市蘇為知識產權代理事務所(普通合伙) 32283
• 代理人: 周全;郭翔

一種新型的GPP芯片藍膜加工方法。本發明涉及芯片藍膜加工，尤其涉及一種新型的GPP芯片藍膜加工方法。提供了一種提高加工效率和品質、降低應力損傷的一種新型的GPP芯片藍膜加工方法。本發明預先采用激光半切穿：將晶圓沿蝕刻道半切穿，切割速度100?300mm/s，切割頻率30?90Khz，切割功率75%±15%，切割深度1/4?2/3，切割痕寬度20um?60um。然后將已經半切穿的晶圓沿著切割痕裂成一顆顆散粒。將芯片分離成一顆顆晶粒后貼在藍膜上。本發明具有提高加工效率和品質、降低應力損傷等特點。

技術領域

本發明涉及芯片藍膜加工，尤其涉及一種新型的GPP芯片藍膜加工方法。

背景技術

目前藍膜芯片普遍的加工工藝是將GPP（GPP中文名稱:玻璃鈍化）芯片貼藍膜后使用刀片全切穿成散粒狀態，因為刀片的機械應力損傷較大，且GPP芯片使用玻璃做鈍化層，其脆性較差，晶粒易受應力作用產生內部損傷，同時晶粒與藍膜間的致密性導致這種損傷未能及時發現，最終造成終端的晶粒損破，導致產品品質下降。

在半導體市場競爭越演越烈的今天，隨著客戶端自動抓晶機的逐漸導入和PPH值不斷提升，市場上的藍膜需求量越來越大，而現有刀片切割藍膜產品的效率低，應力損傷大，故研究一種高效率、高品質、低風險的GPP芯片藍膜加工工藝對占有市場具有重大的意義。

發明內容

本發明針對以上問題，提供了一種提高加工效率和品質、降低應力損傷的一種新型的GPP芯片藍膜加工方法。

本發明的技術方案是：一種新型的GPP芯片藍膜加工方法，包括以下步驟：

1.1）激光半切穿；

將晶圓沿蝕刻道半切穿，切割速度為100-300mm/s，切割頻率為30-90Khz，切割功率為75%±15%，切割深度1/4-2/3,切割痕寬度為20um-60um；

1.2）壓片，將已經半切穿的晶圓沿著切割痕裂成一顆顆散粒；

在晶片P/N兩面涂抹IPA保護溶液，在P/N兩面蓋上裂片保護膜，使用尼龍滾棒沿著半切穿痕將晶圓裂成一顆顆散粒;

1.3）N面揭裂片保護膜；

將菲林版的N面揭開，使晶粒P面整齊排布在菲林版的P面上，并晾干；

1.4）貼藍膜；

將晶粒N面貼在藍膜上，揭開P面菲林版，得到成品激光切割藍膜出貨產品。

將晶圓沿蝕刻道半切穿，切割速度為100mm/s，切割頻率為30Khz，切割功率為60%，切割深度為晶圓的1/4,切割痕寬度為60um。

將晶圓沿蝕刻道半切穿，切割速度為200mm/s，切割頻率為60Khz，切割功率為75%，切割深度為晶圓的1/2,切割痕寬度為40um。

將晶圓沿蝕刻道半切穿，切割速度為300mm/s，切割頻率為90Khz，切割功率為90%，切割深度為晶圓的2/3,切割痕寬度為20um。

步驟1.3）中的晾干時間為10min。

本發明預先采用激光半切穿：將晶圓沿蝕刻道半切穿，切割速度100-300mm/s，切割頻率30-90Khz，切割功率75%±15%，切割深度1/4-2/3，切割痕寬度20um-60um。然后將已經半切穿的晶圓沿著切割痕裂成一顆顆散粒。將芯片分離成一顆顆晶粒后貼在藍膜上。本發明具有提高加工效率和品質、降低應力損傷等特點。

附圖說明

圖1是步驟1.3時的芯片狀態示意圖，

圖2是步驟1.4時貼藍膜的狀態示意圖，

圖3是利用本案工藝加工完成后的狀態示意圖（藍膜沒有損傷），