[發(fā)明專(zhuān)利]一種新型的GPP芯片藍(lán)膜加工方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911303878.1
• 申請(qǐng)日: 2019-12-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111092045A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周榮;廖智煒;李英男;王林;王毅
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 揚(yáng)州杰利半導(dǎo)體有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/683
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/683;H01L21/78;B23K26/38;B23K26/402
• 代理公司: 揚(yáng)州市蘇為知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32283
• 代理人: 周全;郭翔

1.一種新型的GPP芯片藍(lán)膜加工方法，其特征在于，包括以下步驟：

1.1）激光半切穿；

將晶圓沿蝕刻道半切穿，切割速度為100-300mm/s，切割頻率為30-90Khz，切割功率為75%±15%，切割深度1/4-2/3,切割痕寬度為20um-60um；

1.2）壓片，將已經(jīng)半切穿的晶圓沿著切割痕裂成一顆顆散粒；

在晶片P/N兩面涂抹IPA保護(hù)溶液，在P/N兩面蓋上裂片保護(hù)膜，使用尼龍滾棒沿著半切穿痕將晶圓裂成一顆顆散粒;

1.3）N面揭裂片保護(hù)膜；

將菲林版的N面揭開(kāi)，使晶粒P面整齊排布在菲林版的P面上，并晾干；

1.4）貼藍(lán)膜；

將晶粒N面貼在藍(lán)膜上，揭開(kāi)P面菲林版，得到成品激光切割藍(lán)膜出貨產(chǎn)品。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型的GPP芯片藍(lán)膜加工方法，其特征在于，將晶圓沿蝕刻道半切穿，切割速度為100mm/s，切割頻率為30Khz，切割功率為60%，切割深度為晶圓的1/4,切割痕寬度為60um。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型的GPP芯片藍(lán)膜加工方法，其特征在于，將晶圓沿蝕刻道半切穿，切割速度為200mm/s，切割頻率為60Khz，切割功率為75%，切割深度為晶圓的1/2,切割痕寬度為40um。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型的GPP芯片藍(lán)膜加工方法，其特征在于，將晶圓沿蝕刻道半切穿，切割速度為300mm/s，切割頻率為90Khz，切割功率為90%，切割深度為晶圓的2/3,切割痕寬度為20um。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型的GPP芯片藍(lán)膜加工方法，其特征在于，步驟1.3）中的晾干時(shí)間為10min。