[發明專利]太赫茲頻段在片S參數的校準方法及終端設備

有效

• 申請號: 201911302541.9
• 申請日: 2019-12-17
• 公開（公告）號: CN111142057B
• 公開（公告）日: 2020-11-24
• 發明（設計）人: 王一幫;吳愛華;梁法國;劉晨;欒鵬;霍曄;孫靜;李彥麗
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: G01R35/00
• 分類號: G01R35/00
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所 13120
• 代理人: 付曉娣

本發明適用于半導體器件技術領域，提供了一種太赫茲頻段在片S參數的校準方法及終端設備，包括：獲取對太赫茲頻段的系統進行初步校準后得到的8項誤差模型；基于8項誤差模型，獲取基于第一校準件的第一S參數，并根據第一S參數確定第一數學模型，第一數學模型包含探針之間的并聯串擾項；獲取基于第二校準件的第二S參數，并根據第二S參數確定第二數學模型，第二數學模型包含探針之間的串聯串擾項；獲取基于被測件的第三S參數，并根據第三S參數確定第三數學模型；基于第一數學模型、第二數學模型和第三數學模型求解得到被測件的Z參數，并根據被測件的Z參數得到被測件的S參數。本發明能實現太赫茲頻段在片S參數的準確測試。

技術領域

本發明屬于半導體器件技術領域，尤其涉及一種太赫茲頻段在片S參數的校準方法及終端設備。

背景技術

微電子行業中配備的大量“在片S參數測試系統”在使用前，需要使用在片校準件進行矢量校準。校準件的類型包括SOLT(Short-Open-Load-Thru，短路-開路-負載-直通)、TRL(Thru-Reflect-Line，直通-反射-線路)、LRRM(Line-Reflect-Reflect-Match，線路-反射-反射-匹配)等，每種校準件都對應著相應的校準算法。因此，影響校準準確度的因素主要有校準方法和校準件。

傳統的校準方法采用12項誤差模型或8項誤差模型，他們在低頻在片領域(50GHz以下)、同軸和波導領域具有很高的準確度。但隨著在片測試頻率的升高，一些在低頻段可以忽略的系統誤差不可忽略，如探針與探針之間的泄漏(串擾信號)變得越來越大，影響了測試的準確度。串擾信號對測量結果帶來的誤差，隨著頻率的增加會越來越大，然而傳統的12項誤差模型或者8項誤差模型，顯然已經不能表征上述串擾誤差量，使用傳統的誤差模型進行校準，測試得到的S參數準確度較低。

發明內容

有鑒于此，本發明實施例提供了一種太赫茲頻段在片S參數的校準方法、系統及終端設備，以解決傳統的誤差模型無法表征串擾誤差量，使用傳統的誤差模型進行校準，測試得到的S參數準確度較低的問題。

本發明實施例的第一方面提供了一種太赫茲頻段在片S參數的校準方法，包括：

獲取對太赫茲頻段的系統進行初步校準后得到的8項誤差模型；

基于8項誤差模型，獲取基于第一校準件的第一S參數，并根據第一S參數確定第一數學模型，第一數學模型包含探針之間的并聯串擾項；

基于8項誤差模型，獲取基于第二校準件的第二S參數，并根據第二S參數確定第二數學模型，第二數學模型包含探針之間的串聯串擾項；

基于8項誤差模型，獲取基于被測件的第三S參數，并根據第三S參數確定第三數學模型，第三數學模型包含被測件的Z參數；

基于第一數學模型、第二數學模型和第三數學模型求解得到被測件的Z參數，并根據被測件的Z參數得到被測件的S參數。

本發明實施例的第二方面提供了一種終端設備，包括存儲器、處理器以及存儲在存儲器中并可在處理器上運行的計算機程序，處理器執行計算機程序時實現如第一方面所述太赫茲頻段在片S參數的校準方法的步驟。

本發明實施例的第三方面提供了一種計算機可讀存儲介質，計算機可讀存儲介質存儲有計算機程序，計算機程序被一個或多個處理器執行時實現如第一方面所述太赫茲頻段在片S參數的校準方法的步驟。

本發明實施例與現有技術相比存在的有益效果是：本發明實施例首先獲取8項誤差模型，然后基于8項誤差模型，分別獲取第一數學模型、第二數學模型和第三數學模型，其中，第一數學模型包含探針之間的并聯串擾項，第二數學模型包含探針之間的串聯串擾項，第三數學模型包含被測件的Z參數；最后根據第一數學模型、第二數學模型和第三數學模型求解得到被測件的Z參數，并根據被測件的Z參數得到被測件的S參數，本發明實施例對8項誤差模型增加了兩次串擾修正，能夠實現太赫茲頻段在片S參數的準確測試。