[發明專利]太赫茲頻段在片S參數的校準方法及終端設備有效
| 申請號： | 201911302541.9 | 申請日： | 2019-12-17 |
| 公開（公告）號： | CN111142057B | 公開（公告）日： | 2020-11-24 |
| 發明（設計）人： | 王一幫;吳愛華;梁法國;劉晨;欒鵬;霍曄;孫靜;李彥麗 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第十三研究所 |
| 主分類號： | G01R35/00 | 分類號： | G01R35/00 |
| 代理公司： | 石家莊國為知識產權事務所 13120 | 代理人： | 付曉娣 |
| 地址： | 050051 *** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 赫茲 頻段 參數 校準 方法 終端設備 | ||
1.一種太赫茲頻段在片S參數的校準方法，其特征在于，包括：
獲取對太赫茲頻段的系統進行初步校準后得到的8項誤差模型；
基于所述8項誤差模型，獲取基于第一校準件的第一S參數，并根據所述第一S參數確定第一數學模型，所述第一數學模型包含探針之間的并聯串擾項；
基于所述8項誤差模型，獲取基于第二校準件的第二S參數，并根據所述第二S參數確定第二數學模型，所述第二數學模型包含探針之間的串聯串擾項；
基于所述8項誤差模型，獲取基于被測件的第三S參數，并根據所述第三S參數確定第三數學模型，所述第三數學模型包含所述被測件的Z參數，所述第三S參數為包含所述探針之間的并聯串擾項和所述探針之間的串聯串擾項的S參數；
基于所述第一數學模型、所述第二數學模型和所述第三數學模型求解得到所述被測件的Z參數，并根據所述被測件的Z參數得到所述被測件的S參數，所述被測件的S參數為校準后的被測件的S參數。
2.根據權利要求1所述的太赫茲頻段在片S參數的校準方法，其特征在于，所述基于所述8項誤差模型，獲取基于第一校準件的第一S參數，并根據所述第一S參數確定第一數學模型，包括：
基于所述第一校準件，生成所述第一校準件對應的第一等效電路模型；
根據所述8項誤差模型，獲取測量得到的所述第一校準件的第一S參數；
將所述第一S參數轉換為第一Y參數；
根據所述第一Y參數和所述第一等效電路模型確定所述第一數學模型。
3.根據權利要求2所述的太赫茲頻段在片S參數的校準方法，其特征在于，所述第一數學模型為：
其中，為所述第一Y參數，YPAD為PAD并聯寄生參數，YP為所述探針之間的并聯串擾項。
4.根據權利要求1所述的太赫茲頻段在片S參數的校準方法，其特征在于，所述基于所述8項誤差模型，獲取基于第二校準件的第二S參數，并根據所述第二S參數確定第二數學模型，包括：
基于所述第二校準件，生成所述第二校準件對應的第二等效電路模型；
根據所述8項誤差模型，獲取測量得到的所述第二校準件的第二S參數；
將所述第二S參數轉換為第二Y參數；
根據所述第二Y參數和所述第二等效電路模型確定所述第二數學模型。
5.根據權利要求4所述的太赫茲頻段在片S參數的校準方法，其特征在于，所述第二數學模型為：
其中，為所述第二Y參數，YPAD為PAD并聯寄生參數，YP為所述探針之間的并聯串擾項，ZS為所述探針之間的串聯串擾項，ZL為PAD內連線的串聯寄生參數。
6.根據權利要求1所述的太赫茲頻段在片S參數的校準方法，其特征在于，所述基于所述8項誤差模型，獲取基于被測件的第三S參數，并根據所述第三S參數確定第三數學模型，包括：
基于所述被測件，生成所述被測件對應的第三等效電路模型；
根據所述8項誤差模型，獲取測量得到的所述被測件的第三S參數；
將所述第三S參數轉換為第三Y參數；
根據所述第三Y參數和所述第三等效電路模型確定所述第三數學模型。
7.根據權利要求6所述的太赫茲頻段在片S參數的校準方法，其特征在于，所述第三數學模型為：
其中，為所述第三Y參數，YP為所述探針之間的并聯串擾項，YPAD為PAD并聯寄生參數，ZS為所述探針之間的串聯串擾項，ZL為PAD內連線的串聯寄生參數，ZDUT為所述被測件的Z參數。
8.根據權利要求1至7任一項所述的太赫茲頻段在片S參數的校準方法，其特征在于，所述第一校準件為開路-開路校準件，所述第二校準件為短路-短路校準件。
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