[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911301083.7
• 申請日: 2019-12-17
• 公開（公告）號: CN112992835B
• 公開（公告）日: 2022-08-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙健康;史波;廖童佳
• 申請（專利權(quán)）人: 珠海格力電器股份有限公司;珠海零邊界集成電路有限公司
• 主分類號: H01L23/49
• 分類號: H01L23/49;H01L21/48
• 代理公司: 中國貿(mào)促會專利商標事務(wù)所有限公司 11038
• 代理人: 宋少娜;顏鏑

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括半導(dǎo)體組件(100)，所述半導(dǎo)體組件(100)包括：

芯片(1)，包括相對設(shè)置的第一側(cè)面(11)和第二側(cè)面(12)，所述第一側(cè)面(11)設(shè)有至少一個電極區(qū)(13)和非電極區(qū)(14)，所述至少一個電極區(qū)(13)的每個電極區(qū)(13)內(nèi)設(shè)有電極；所述至少一個電極區(qū)(13)包括第一電極區(qū)(131)；

膠膜層(2)，設(shè)于所述非電極區(qū)(14)；

第一電連接件(3)，包括第一接合部(31)，所述第一接合部(31)與所述膠膜層(2)粘接，所述第一電連接件(3)、所述第一電極區(qū)(131)，以及所述第一電極區(qū)(131)周圍的所述膠膜層(2)共同形成空腔(34)，所述第一電連接件(3)與所述空腔(34)相對應(yīng)的位置設(shè)有通孔(33)；以及

導(dǎo)電結(jié)合件(4)，設(shè)于所述空腔(34)以及所述通孔(33)內(nèi)，且將所述第一電連接件(3)與所述芯片(1)接合。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述通孔(33)的截面積小于所述空腔(34)的截面積。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體組件(100)還包括引線框架(5)和第一導(dǎo)電結(jié)合層(61)，所述引線框架(5)設(shè)于所述芯片(1)遠離所述膠膜層(2)的一側(cè)，所述第一導(dǎo)電結(jié)合層(61)設(shè)于所述芯片(1)與所述引線框架(5)之間，所述芯片(1)通過所述第一導(dǎo)電結(jié)合層(61)與所述引線框架(5)接合。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體組件(100)還包括第一引腳(71)和第二導(dǎo)電結(jié)合層(62)，所述第二導(dǎo)電結(jié)合層(62)設(shè)于所述第一引腳(71)，所述第一電連接件(3)還包括第二接合部(32)，所述第二接合部(32)通過所述第二導(dǎo)電結(jié)合層(62)與所述第一引腳(71)接合。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一引腳(71)與所述引線框架(5)位于同一水平面，所述第一電連接件(3)的第一接合部(31)與第二接合部(32)之間形成拐角。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體組件(100)還包括第二引腳(72)、第三導(dǎo)電結(jié)合層(63)、第四導(dǎo)電結(jié)合層(64)和第二電連接件(8)，所述第三導(dǎo)電結(jié)合層(63)設(shè)于所述第二引腳(72)，所述至少一個電極區(qū)(13)包括第二電極區(qū)(132)，所述第四導(dǎo)電結(jié)合層(64)設(shè)于所述第二電極區(qū)(132)，所述第二電連接件(8)的第一端通過所述第三導(dǎo)電結(jié)合層(63)與所述第二引腳(72)接合，所述第二電連接件(8)的第二端通過所述第四導(dǎo)電結(jié)合層(64)與第二電極區(qū)(132)接合。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括封裝材料(200)，所述封裝材料(200)將所述半導(dǎo)體組件(100)封裝在內(nèi)，其中，所述第一電連接件(3)包括露出所述封裝材料(200)的外接面。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括電鍍層(9)，所述電鍍層(9)設(shè)于所述第一電連接件(3)的外接面。

9.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一電極區(qū)(131)設(shè)置的電極為發(fā)射極，所述第二側(cè)面(12)設(shè)有集電極，所述第二電極區(qū)(132)設(shè)置的電極為柵極。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述膠膜層(2)的材料包括環(huán)氧樹脂或硅膠。

11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一電連接件(3)的材料包括銅、鐵鎳合金或銅鎳合金。

12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述導(dǎo)電結(jié)合件(4)的材料包括錫膏、銀漿或者導(dǎo)電膠。