[發明專利]一種鍍膜治具、鍍膜設備及鍍膜方法

在審

• 申請號: 201911293000.4
• 申請日: 2019-12-16
• 公開（公告）號: CN113061863A
• 公開（公告）日: 2021-07-02
• 發明（設計）人: 吳獻明;陳志斌
• 申請（專利權）人: 深圳市萬普拉斯科技有限公司
• 主分類號: C23C14/50
• 分類號: C23C14/50;C23C14/34;C23C14/30;C23C14/02
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 王闖

本發明公開了一種鍍膜治具、鍍膜設備及鍍膜方法，涉及玻璃鍍膜技術領域。所述鍍膜設備包括真空室、偏壓電源及鍍膜治具，所述鍍膜治具包括金屬本體，所述金屬本體上設有仿形凹坑，所述仿形凹坑的內壁與鍍膜工件的鍍膜面相契合；真空室內設有工件架及靶源，所述鍍膜治具連接于所述工件架，所述靶源正對所述鍍膜治具；所述工件架連接所述偏壓電源的其中一個電極，所述靶源接地或者連接偏壓電源的另一個電極。本發明在鍍膜時，鍍膜工件的緊貼在仿形凹坑的內壁上，通入偏壓電源后，能在鍍膜工件的鍍膜面上形成各處均勻的電場，膜層物質在電場作用下沉積在鍍膜面上，最終形成各處厚度均勻的光學膜。本發明還提供了一種鍍膜方法。

技術領域

本發明涉及玻璃鍍膜技術領域，尤其涉及一種鍍膜治具、鍍膜設備及鍍膜方法。

背景技術

隨著人們審美觀的不斷發展，人們對于消費類電子產品如手機的觸摸屏已經不滿足于傳統的平面屏，于是2.5D屏、3D屏等曲面屏應運而生。這些曲面屏需要鍍光學膜，用于提升屏幕的光學顯示性能。現有的一種常見的鍍膜方法是真空鍍膜，其是一種物理氣相沉積(PVD，Physical Vapor Deposition)制備功能薄膜的方法。它的基本原理是在真空室內，膜層材料的原子在電磁場作用下從靶源離析出來打到被鍍物表面上。這種工藝方法被廣泛應用在各種鍍膜工藝中，例如玻璃鍍膜、觸摸屏鍍膜等。

在進行鍍膜時需要用金屬治具來承托玻璃工件，現有的金屬治具一般是平板狀，金屬治具加上電壓后，電場隨金屬治具分布，由于曲面屏(或玻璃)各處曲率不同，導致曲面屏(或玻璃)的鍍膜面上各處電場強度不均勻，例如2.5D曲面屏(或玻璃)的平面處電場強度強、側弧面處電場強度弱，在鍍膜沉積的過程中平面和側弧面沉積的膜層厚度差異很大，最終導致所鍍的光學膜層達不到均勻的效果。而3D曲面屏(或玻璃)鍍膜時，上述的缺陷更為明顯。

有鑒于此，急需一種新的技術方案來解決上述技術問題。

發明內容

本發明的目的在于解決上述現有技術中的問題，提供一種鍍膜治具、鍍膜設備及鍍膜方法，可在鍍膜工件上形成厚度均勻的光學膜。

為了實現上述目的，本發明采用如下技術方案：

本發明的目的之一在于提供一種鍍膜治具，包括金屬本體，所述金屬本體上設有仿形凹坑，所述仿形凹坑的內壁與鍍膜工件的鍍膜面相契合。

本發明的目的之二在于提供一種鍍膜設備，包括真空室、偏壓電源及如上所述的鍍膜治具；

所述真空室內設有工件架及靶源，所述鍍膜治具連接于所述工件架，所述靶源正對所述鍍膜治具；

所述工件架連接所述偏壓電源的其中一個電極，所述靶源接地或者連接偏壓電源的另一個電極。

作為進一步的改進，所述鍍膜設備還包括真空爐體，所述真空室由所述真空爐體的內部空腔形成，所述工件架及所述靶源分別連接于所述真空爐體的相對兩端。

作為進一步的改進，所述的鍍膜工件包括曲面玻璃。

本發明的目的之三在于提供一種鍍膜方法，其特征在于，包括如下步驟：

使用如上所述的鍍膜設備來對鍍膜工件進行鍍膜，其中，所述鍍膜工件的凸面貼緊在所述鍍膜治具的仿形凹坑內，所述鍍膜工件的鍍膜面正對所述靶源。

作為進一步的改進，所述鍍膜治具由金屬板件經過沖壓、鍛壓或CNC雕刻工藝成型。

作為進一步的改進，在所述鍍膜之前，還包括如下步驟：

對真空室進行抽真空，使真空室內氣壓值為10^-3～10^-4兆帕；

啟動偏壓電源，使鍍膜治具帶電；

充入反應氣體，然后進行鍍膜。