[發(fā)明專(zhuān)利]一種側(cè)面引出的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法、堆疊結(jié)構(gòu)

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911292885.6
• 申請(qǐng)日: 2019-12-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110943041A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-03-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 侯紅偉
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 山東硯鼎電子科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/78
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/78;H01L21/60;H01L23/48;H01L23/488;H01L23/367;H01L25/065
• 代理公司: 北京華際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11676
• 代理人: 葉宇

本發(fā)明提供一種側(cè)面引出的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法、堆疊結(jié)構(gòu)，本發(fā)明通過(guò)聚合物層或第二樹(shù)脂層實(shí)現(xiàn)兩個(gè)芯片結(jié)構(gòu)的粘合，減小疊置體的厚度。所述聚合物層或第二樹(shù)脂層中可以混合有無(wú)機(jī)填料，以增強(qiáng)散熱。本發(fā)明的結(jié)構(gòu)既實(shí)現(xiàn)了扇出型封裝結(jié)構(gòu)，也同時(shí)實(shí)現(xiàn)了側(cè)面引出和能夠使得堆疊封裝較薄的側(cè)面引出結(jié)構(gòu)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉半導(dǎo)體集成電路封裝領(lǐng)域，屬于H01L23/00分類(lèi)號(hào)下，尤其涉及一種側(cè)面引出的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法、堆疊結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

集成電路封裝是伴隨集成電路的發(fā)展而前進(jìn)的。隨著宇航、航空、機(jī)械、輕工、化工等各個(gè)行業(yè)的不斷發(fā)展，整機(jī)也向著多功能、小型化方向變化。這樣，就要求集成電路的集成度越來(lái)越高，功能越來(lái)越復(fù)雜。相應(yīng)地要求集成電路封裝密度越來(lái)越大，引線數(shù)越來(lái)越多，而體積越來(lái)越小，重量越來(lái)越輕，更新?lián)Q代越來(lái)越快，封裝結(jié)構(gòu)的合理性和科學(xué)性將直接影響集成電路的質(zhì)量。因此，對(duì)于集成電路的制造者和使用者，除了掌握各類(lèi)集成電路的性能參數(shù)和識(shí)別引線排列外，還要對(duì)集成電路各種封裝的外形尺寸、公差配合、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和封裝材料等知識(shí)有一個(gè)系統(tǒng)的認(rèn)識(shí)和了解。以便使集成電路制造者不因選用封裝不當(dāng)而降低集成電路性能；也使集成電路使用者在采用集成電路進(jìn)行征集設(shè)計(jì)和組裝時(shí)，合理進(jìn)行平面布局、空間占用，做到選型恰當(dāng)、應(yīng)用合理。

對(duì)于三維的集成電路封裝，其電極端往往位于芯片的正上方，其通過(guò)焊球或者焊線與封裝基板進(jìn)行電連接時(shí)，往往會(huì)增加三維封裝的高度，不利于集成度和微型化，且多芯片的堆疊的散熱性能較差，不利于可靠性。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供了一種側(cè)面引出的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：

(1)提供一晶圓，所述晶圓的第一表面上形成有多個(gè)半導(dǎo)體器件，且所述多個(gè)半導(dǎo)體器件的每一個(gè)在所述第一表面上具有電極，所述多個(gè)半導(dǎo)體器件之間設(shè)有切割道；

(2)在所述切割道位置形成多個(gè)盲孔，所述多個(gè)盲孔的寬度大于所述切割道的寬度；

(3)在所述多個(gè)盲孔內(nèi)填充導(dǎo)電材料形成導(dǎo)電孔；

(4)在所述第一表面上形成絕緣層，所述絕緣層上形成開(kāi)口，所述開(kāi)口露出所述電極和導(dǎo)電孔；

(5)在所述絕緣層上形成導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層電連接所述電極和所述導(dǎo)電孔；

(6)在所述第一表面上覆蓋聚合物層；

(7)沿著所述切割道進(jìn)行切割實(shí)現(xiàn)單體化，所述切割沿著所述導(dǎo)電孔的寬度的中心進(jìn)行，使得所述導(dǎo)電孔在側(cè)面露出。

本發(fā)明還提供了另一種側(cè)面引出的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：

(1)提供一載板，所述載板上固定有多個(gè)半導(dǎo)體芯片，且所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片具有朝上的電極，并且在所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片之間填充有第一樹(shù)脂層；

(2)在所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片之間的第一樹(shù)脂層內(nèi)形成多個(gè)盲孔；

(3)在所述第一表面上形成絕緣層，所述絕緣層上形成開(kāi)口，所述開(kāi)口露出所述電極和多個(gè)盲孔；

(4)在所述多個(gè)盲孔內(nèi)填充導(dǎo)電材料形成導(dǎo)電孔；

(5)在所述絕緣層上形成導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層電連接所述電極和所述導(dǎo)電孔；

(6)在所述第一表面上覆蓋第二樹(shù)脂層；

(7)移除所述載體；

(8)沿著所述導(dǎo)電孔的寬度的中心進(jìn)行切割實(shí)現(xiàn)單體化，使得所述導(dǎo)電孔在側(cè)面露出。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述絕緣層為氧化硅或氮化硅。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述聚合物層或第二樹(shù)脂層為熱塑性樹(shù)脂材料、水溶性塑料。