[發明專利]一種側面引出的半導體結構及其制造方法、堆疊結構

在審

• 申請號: 201911292885.6
• 申請日: 2019-12-16
• 公開（公告）號: CN110943041A
• 公開（公告）日: 2020-03-31
• 發明（設計）人: 侯紅偉
• 申請（專利權）人: 山東硯鼎電子科技有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/60;H01L23/48;H01L23/488;H01L23/367;H01L25/065
• 代理公司: 北京華際知識產權代理有限公司 11676
• 代理人: 葉宇

1.一種側面引出的半導體結構的制造方法，包括：

(1)提供一晶圓，所述晶圓的第一表面上形成有多個半導體器件，且所述多個半導體器件的每一個在所述第一表面上具有電極，所述多個半導體器件之間設有切割道；

(2)在所述切割道位置形成多個盲孔，所述多個盲孔的寬度大于所述切割道的寬度；

(3)在所述多個盲孔內填充導電材料形成導電孔；

(4)在所述第一表面上形成絕緣層，所述絕緣層上形成開口，所述開口露出所述電極和導電孔；

(5)在所述絕緣層上形成導電層，所述導電層電連接所述電極和所述導電孔；

(6)在所述第一表面上覆蓋聚合物層；

(7)沿著所述切割道進行切割，所述切割沿著所述導電孔的寬度的中心進行，使得所述導電孔在側面露出。

2.一種側面引出的半導體結構的制造方法，包括：

(1)提供一載板，所述載板上固定有多個半導體芯片，且所述多個半導體芯片具有朝上的電極，并且在所述多個半導體芯片之間填充有第一樹脂層；

(2)在所述多個半導體芯片之間的第一樹脂層內形成多個盲孔；

(3)在所述第一表面上形成絕緣層，所述絕緣層上形成開口，所述開口露出所述電極和多個盲孔；

(4)在所述多個盲孔內填充導電材料形成導電孔；

(5)在所述絕緣層上形成導電層，所述導電層電連接所述電極和所述導電孔；

(6)在所述第一表面上覆蓋第二樹脂層；

(7)移除所述載體；

(8)沿著所述導電孔的寬度的中心進行切割，使得所述導電孔在側面露出。

3.根據權利要求1或2所述的側面引出的半導體結構的制造方法，其特征在于：所述絕緣層為氧化硅或氮化硅。

4.根據權利要求1或2所述的側面引出的半導體結構的制造方法，其特征在于：所述聚合物層或所述第二樹脂層為熱塑性樹脂材料、水溶性塑料等。

5.根據權利要求1或2所述的側面引出的半導體結構的制造方法，其特征在于：所述導電孔從側面露出部分作為外部引出端子，部分作為虛擬端子。

6.根據權利要求1所述的側面引出的半導體結構的制造方法，其特征在于：所述盲孔為倒梯形。

7.一種側面引出的半導體結構，所述半導體結構由權利要求1或2所述的制造方法制造得到。

8.一種堆疊結構，其包括多個半導體結構，所述半導體結構為權利要求7所述的半導體結構，其特征在于：所述多個半導體結構通過其聚合物層或第二樹脂層粘合在一起形成堆疊體，所述堆疊體側面露出的導電孔通過引線電連接于封裝基板上。

9.根據權利要求8所述的堆疊結構，其特征在于：所述堆疊體通過粘合層固定于所述封裝基板上。

10.根據權利要求8所述的堆疊結構，其特征在于：還包括密封層，所述密封層密封所述堆疊體和所述引線。