[發(fā)明專利]顯示背板及其制作方法和顯示裝置

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• 申請日: 2019-12-16
• 公開（公告）號: CN112992919A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄧偉;潘康觀;魏悅;黎飛;鄒富偉;鄧雷;曹惠敏
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32;H01L21/84
• 代理公司: 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 尹璐

本發(fā)明提供了顯示背板及其制作方法和顯示裝置。制作顯示背板的方法包括：提供薄膜晶體管陣列基板，薄膜晶體管陣列基板具有挖孔區(qū)，挖孔區(qū)用于形成通孔；在薄膜晶體管陣列基板的表面上形成第一有機隔離柱，且第一有機隔離柱位于挖孔區(qū)的外側(cè)；形成無機氧化物阻斷結(jié)構(gòu)，無機氧化物阻斷結(jié)構(gòu)覆蓋第一有機隔離柱遠離薄膜晶體管陣列基板的至少一部分表面、第一有機隔離柱遠離挖孔區(qū)的側(cè)面，以及薄膜晶體管陣列基板的部分表面；去除第一有機隔離柱。由此，無機氧化物阻斷結(jié)構(gòu)可以有效地阻斷顯示區(qū)的有機發(fā)光材料吸收環(huán)境中的水氧，避免顯示區(qū)出現(xiàn)黑斑；而且，在制作過程中均不會產(chǎn)生金屬顆粒，進而可以避免部分像素發(fā)光異常的不良現(xiàn)象。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體的，涉及顯示背板及其制作方法和顯示裝置。

背景技術(shù)

隨著顯示屏占比不斷的提高，挖孔屏成為提升屏占比的重要方案，尤其是柔性O(shè)LED挖孔屏，但是，在挖孔屏制作的過程中，孔(Hole)周邊位置的有機EL發(fā)光材料容易吸收環(huán)境中的水分，導入到屏幕顯示區(qū)域后造成黑斑不良。

因此，關(guān)于挖孔屏的研究有待深入。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的技術(shù)問題之一。為此，本發(fā)明的一個目的在于提出一種制作顯示背板的方法，該方法可以有效阻止環(huán)境中的水氧延伸至顯示區(qū)的有機EL發(fā)光材料，或者有效解決部分像素發(fā)光異常的問題。

在本發(fā)明的一個方面，本發(fā)明提供了一種制作顯示背板的方法。根據(jù)本發(fā)明的實施例，制作顯示背板的方法包括：S100：提供薄膜晶體管陣列基板，所述薄膜晶體管陣列基板具有挖孔區(qū)，所述挖孔區(qū)用于形成通孔；S200：在所述薄膜晶體管陣列基板的表面上形成第一有機隔離柱，且所述第一有機隔離柱位于所述挖孔區(qū)的外側(cè)；S300：形成無機氧化物阻斷結(jié)構(gòu)，所述無機氧化物阻斷結(jié)構(gòu)覆蓋所述第一有機隔離柱遠離所述薄膜晶體管陣列基板的至少一部分表面、所述第一有機隔離柱遠離所述挖孔區(qū)的側(cè)面，以及所述薄膜晶體管陣列基板的部分表面；S400：去除所述第一有機隔離柱。由此，上述無機氧化物阻斷結(jié)構(gòu)的形成，在后續(xù)形成通孔之后，可以有效地阻斷顯示區(qū)的有機發(fā)光材料吸收環(huán)境中的水氧，進而避免顯示區(qū)出現(xiàn)黑斑等不良現(xiàn)象；而且，在無機材料形成的無機氧化物阻斷結(jié)構(gòu)的形成過程中，由有機材料形成的第一有機隔離柱的形成和去除的過程中，以及后續(xù)濕刻刻蝕形成陽極的過程中均不會產(chǎn)生金屬顆粒(比如銀顆粒)等副產(chǎn)物，進而可以避免由金屬顆粒而造成的部分像素發(fā)光異常(暗點)的不良現(xiàn)象；再者，上述制備方法簡單，工藝成熟，便于工業(yè)化生產(chǎn)，且成品率較高，不會增加制作成本和工藝時長。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，制作顯示背板的方法還包括：在所述薄膜晶體管陣列基板的表面上形成與所述第一有機隔離柱間隔設(shè)置的第二有機隔離柱，且所述第二有機隔離柱位于所述第一有機隔離柱遠離所述挖孔區(qū)的一側(cè)，其中，所述無機氧化物阻斷結(jié)構(gòu)覆蓋所述第一有機隔離柱和所述第二有機隔離柱的至少一部分表面、所述第一有機隔離柱和所述第二有機隔離柱之間暴露的所述薄膜晶體管陣列基板的表面以及所述第一有機隔離柱和所述第二有機隔離柱相對設(shè)置的兩個側(cè)面。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，在步驟S400中，還包括去除所述第二有機隔離柱，其中，通過灰化工藝去除所述第一有機隔離柱和所述第二有機隔離柱。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述灰化工藝滿足以下條件至少之一：采用氧氣作為工作氣體；氣流量為500～1500sccm；氣壓為3～15mTorr，射頻功率中，Source功率為10～20kW，Bias功率為0kW。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述無機氧化物阻斷結(jié)構(gòu)與所述顯示背板中的覆蓋薄膜晶體管的無機絕緣層通過一次構(gòu)圖工藝形成。