[發明專利]顯示背板及其制作方法和顯示裝置

在審

• 申請號: 201911292213.5
• 申請日: 2019-12-16
• 公開（公告）號: CN112992919A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: 鄧偉;潘康觀;魏悅;黎飛;鄒富偉;鄧雷;曹惠敏
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32;H01L21/84
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 尹璐

1.一種制作顯示背板的方法，其特征在于，包括：

S100：提供薄膜晶體管陣列基板，所述薄膜晶體管陣列基板具有挖孔區，所述挖孔區用于形成通孔；

S200：在所述薄膜晶體管陣列基板的表面上形成第一有機隔離柱，且所述第一有機隔離柱位于所述挖孔區的外側；

S300：形成無機氧化物阻斷結構，所述無機氧化物阻斷結構覆蓋所述第一有機隔離柱遠離所述薄膜晶體管陣列基板的至少一部分表面、所述第一有機隔離柱遠離所述挖孔區的側面，以及所述薄膜晶體管陣列基板的部分表面；

S400：去除所述第一有機隔離柱。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：在所述薄膜晶體管陣列基板的表面上形成與所述第一有機隔離柱間隔設置的第二有機隔離柱，且所述第二有機隔離柱位于所述第一有機隔離柱遠離所述挖孔區的一側，

其中，所述無機氧化物阻斷結構覆蓋所述第一有機隔離柱和所述第二有機隔離柱的至少一部分表面、所述第一有機隔離柱和所述第二有機隔離柱之間暴露的所述薄膜晶體管陣列基板的表面以及所述第一有機隔離柱和所述第二有機隔離柱相對設置的兩個側面。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，在步驟S400中，還包括去除所述第二有機隔離柱，其中，通過灰化工藝去除所述第一有機隔離柱和所述第二有機隔離柱。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述灰化工藝滿足以下條件至少之一：

采用氧氣作為工作氣體；

氣流量為500～1500sccm；

氣壓為3～15mTorr，

射頻功率中，Source功率為10～20kW，Bias功率為0kW。

5.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述無機氧化物阻斷結構與所述顯示背板中的覆蓋薄膜晶體管的無機絕緣層通過一次構圖工藝形成。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，形成所述無機氧化物阻斷結構和去除所述第一有機隔離柱和所述第二有機隔離柱的步驟包括：

在所述薄膜晶體管陣列基板的表面上形成阻斷層，且所述阻斷層覆蓋所述第一有機隔離柱和/或所述第二有機隔離柱；

在所述阻斷層的表面上形成圖案化的光刻膠；

對未被所述光刻膠覆蓋的所述阻斷層進行蝕刻，得到所述無機氧化物阻斷結構和所述無機絕緣層；

在去除所述光刻膠之前，去除所述第一有機隔離柱和所述第二有機隔離柱。

7.根據權利要求2～6中任一項所述的方法，其特征在于，所述第一有機隔離柱和所述第二有機隔離柱的高度為1.0～1.5微米。

8.一種由權利要求1～7中任一項所述方法制作的顯示背板，其特征在于，包括：

薄膜晶體管陣列基板，所述薄膜晶體管陣列基板具有通孔；

無機氧化物阻斷結構，所述無機氧化物阻斷結構設置在所述薄膜晶體管陣列基板的表面上，且位于所述通孔的周圍，其中，所述無機氧化物阻斷結構包括依次連接的第一阻斷頂壁、第一側壁和底壁，所述第一阻斷頂壁和所述底壁在垂直方向上間隔設置，且所述底壁位于所述薄膜晶體管陣列基板的表面上，所述第一阻斷頂壁在水平方向上由所述第一側壁遠離所述底壁的一端向遠離所述底壁的方向延伸。

9.根據權利要求8所述的顯示背板，其特征在于，所述無機氧化物阻斷結構還包括：

第二側壁，所述第二側壁的一端與所述底壁遠離所述第一側壁的一端連接；

第二阻斷頂壁，所述第二阻斷頂壁與所述第二側壁遠離所述底壁的一端連接，且在垂直方向上與所述底壁間隔設置，在水平方向上由所述第二側壁另一端向遠離所述底壁的方向延伸。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求8或9所述的顯示背板。