[發明專利]SGT器件的工藝方法

有效

• 申請號: 201911291567.8
• 申請日: 2019-12-16
• 公開（公告）號: CN111128703B
• 公開（公告）日: 2022-08-16
• 發明（設計）人: 張輝;陳正嶸
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 焦健

1.一種SGT器件的工藝方法，針對在溝槽中形成多晶硅源極及多晶硅柵極，其特征在于：包含如下的工藝步驟：

第一步，在重摻雜的半導體襯底上形成溝槽型柵極，所述的溝槽型柵極是在襯底上形成溝槽，然后淀積一層介質層以及一層襯墊氧化層，然后沉積多晶硅并回刻，形成源極多晶硅；所述的介質層為柵介質層，襯墊氧化層覆蓋在柵介質層表面，回刻多晶硅至其上表面位于溝槽中部區域；回刻完成后溝槽上部的側邊保留有襯墊氧化層；

第二步，再次形成一層熱氧化層；所述的熱氧化層形成于溝槽內，覆蓋在溝槽上部側壁的襯墊氧化層上，以及溝槽下部的多晶硅上表面；

第三步，采用HDPCVD法再沉積一層氧化層；HDPCVD法沉積的氧化層覆蓋于溝槽上部的熱氧化層之上，能使熱氧化層的表面更加平坦，溝槽剩余空間的底部拐角過渡更平滑；

第四步，移除溝槽上部側邊的襯墊氧化層，露出柵介質層；

第五步，淀積多晶硅并回刻，完成溝槽上部的多晶硅柵極的制作。

2.如權利要求1所述的SGT器件的工藝方法，其特征在于：所述的熱氧化層的厚度為5250?。

3.如權利要求1所述的SGT器件的工藝方法，其特征在于：所述的HDPCVD法沉積的氧化層的厚度為1000?。

4.如權利要求1所述的SGT器件的工藝方法，其特征在于：第四步中，溝槽上部的襯墊氧化層去除，保留溝槽側壁的介質層，溝槽下部的多晶硅上表面保留一層熱氧化層，溝槽側壁的介質層與下部熱氧化層融合形成整體，形成溝槽上部的隔離空間，用于完成溝槽上部多晶硅柵極的制作。

5.如權利要求1所述的SGT器件的工藝方法，其特征在于：所述HDPCVD法沉積的氧化層能有效增加熱氧化層的厚度。