[發(fā)明專(zhuān)利]晶圓洗邊方法及晶圓清洗裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911290951.6 | 申請(qǐng)日: | 2019-12-16 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN110957208A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-04-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馬亮;呂術(shù)亮;黃馳;李遠(yuǎn);萬(wàn)先進(jìn) | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/02 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海盈盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 董琳;高翠花 |
| 地址: | 430074 湖北省武漢*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶圓洗邊 方法 清洗 裝置 | ||
本發(fā)明提供一種晶圓洗邊方法及晶圓清洗裝置,所述晶圓洗邊方法包括:交替沿第一方向及第二方向向所述晶圓的邊緣噴灑清洗液,以對(duì)所述晶圓進(jìn)行洗邊,其中,所述第一方向與所述第二方向?yàn)橄喾吹姆较颉1景l(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于,交替沿第一方向及第二方向向所述晶圓的邊緣噴灑清洗液,能夠去除邊緣殘留的金屬,避免后續(xù)的鍵合工藝由于金屬殘留而失敗的情況發(fā)生。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,尤其涉及一種晶圓洗邊方法及晶圓清洗裝置。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體制程中,化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)工藝只能研磨晶圓上表面或者下表面,無(wú)法研磨晶圓邊緣(wafer edge)及晶圓邊緣的傾斜(wafer bevel)區(qū)域的銅。為了去除晶圓邊緣及晶圓邊緣的傾斜區(qū)域的銅,通常會(huì)在銅電鍍工藝后增加一個(gè)洗邊工藝(EBR),以清除晶圓邊緣的銅及晶圓邊緣的傾斜區(qū)域的銅,保證化學(xué)機(jī)械研磨工藝的順利進(jìn)行。
但是,現(xiàn)有的洗邊工藝并不能完全清除晶圓邊緣及晶圓邊緣的傾斜區(qū)域的銅,殘留的銅會(huì)在后續(xù)的鍵合(bonding)工藝中形成氣泡(bubble),導(dǎo)致鍵合工藝失敗。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是,提供一種晶圓洗邊方法及晶圓清洗裝置,其能夠去除晶圓邊緣殘留的金屬。
為了解決上述問(wèn)題,本發(fā)明提供了一種晶圓洗邊方法,包括:交替沿第一方向及第二方向向所述晶圓的邊緣噴灑清洗液,以對(duì)所述晶圓進(jìn)行洗邊,其中,所述第一方向與所述第二方向?yàn)橄喾吹姆较颉?/p>
進(jìn)一步,所述晶圓相對(duì)于清洗液噴灑裝置交替沿第一方向及第二方向轉(zhuǎn)動(dòng),以使所述清洗液交替沿第一方向及第二方向向所述晶圓的邊緣噴灑。
進(jìn)一步,所述清洗液噴灑方向的水平分量與所述晶圓轉(zhuǎn)動(dòng)方向的切線方向一致。
進(jìn)一步,所述第一方向?yàn)轫槙r(shí)針?lè)较颍龅诙较驗(yàn)槟鏁r(shí)針?lè)较颍蛘咚龅谝环较驗(yàn)槟鏁r(shí)針?lè)较颍龅诙较驗(yàn)轫槙r(shí)針?lè)较颉?/p>
進(jìn)一步,所述第一方向及所述第二方向指所述清洗液的實(shí)際噴灑方向的水平分量。
進(jìn)一步,交替改變清洗液噴灑裝置的朝向,以使所述清洗液交替沿第一方向或第二方向向所述晶圓的邊緣噴灑。
進(jìn)一步,沿所述晶圓的圓周方向移動(dòng)所述清洗液噴灑裝置,以使所述清洗液能夠作用于所述晶圓全部邊緣。
進(jìn)一步,所述清洗液噴灑方向的水平分量與所述清洗液噴灑裝置轉(zhuǎn)動(dòng)方向的切線方向一致。
進(jìn)一步,所述晶圓沿第一方向或者第二方向轉(zhuǎn)動(dòng),以使所述清洗液能夠作用于所述晶圓全部邊緣。
進(jìn)一步,所述清洗液噴灑方向的水平分量與所述晶圓轉(zhuǎn)動(dòng)方向的切線方向一致。
本發(fā)明還提供一種晶圓清洗裝置,其包括:清洗液噴灑裝置;控制裝置,與所述清洗液噴嘴裝置連接,以控制清洗液交替沿第一方向及第二方向向所述晶圓的邊緣噴灑,其中,所述第一方向與所述第二方向?yàn)橄喾吹姆较颉?/p>
進(jìn)一步,所述控制裝置能夠交替改變清洗液噴灑裝置的朝向,以使所述清洗液交替沿第一方向或第二方向向所述晶圓的邊緣噴灑。
進(jìn)一步,所述晶圓置于一承載裝置上,所述控制裝置與所述承載裝置連接,并能夠控制所述承載裝置轉(zhuǎn)動(dòng),進(jìn)而使所述晶圓相對(duì)于清洗液噴灑裝置交替沿第一方向及第二方向轉(zhuǎn)動(dòng),以使清洗液交替沿第一方向及第二方向向所述晶圓的邊緣噴灑。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于,交替沿第一方向及第二方向向所述晶圓的邊緣噴灑清洗液,能夠去除邊緣殘留的金屬,避免后續(xù)的鍵合工藝由于金屬殘留而失敗的情況發(fā)生。
附圖說(shuō)明
圖1是本發(fā)明晶圓洗邊方法的第一具體實(shí)施方式的一個(gè)工作示意圖;
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H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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