[發明專利]晶圓洗邊方法及晶圓清洗裝置在審
| 申請號: | 201911290951.6 | 申請日: | 2019-12-16 |
| 公開(公告)號: | CN110957208A | 公開(公告)日: | 2020-04-03 |
| 發明(設計)人: | 馬亮;呂術亮;黃馳;李遠;萬先進 | 申請(專利權)人: | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 董琳;高翠花 |
| 地址: | 430074 湖北省武漢*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶圓洗邊 方法 清洗 裝置 | ||
1.一種晶圓洗邊方法,其特征在于,包括:交替沿第一方向及第二方向向所述晶圓的邊緣噴灑清洗液,以對所述晶圓進行洗邊,其中,所述第一方向與所述第二方向為相反的方向。
2.根據權利要求1所述的晶圓洗邊方法,其特征在于,所述晶圓相對于清洗液噴灑裝置交替沿第一方向及第二方向轉動,以使所述清洗液交替沿第一方向及第二方向向所述晶圓的邊緣噴灑。
3.根據權利要求1所述的晶圓洗邊方法,其特征在于,所述清洗液噴灑方向的水平分量與所述晶圓轉動方向的切線方向一致。
4.根據權利要求1~3任意一項所述的晶圓洗邊方法,其特征在于,所述第一方向為順時針方向,所述第二方向為逆時針方向,或者所述第一方向為逆時針方向,所述第二方向為順時針方向。
5.根據權利要求1所述的晶圓洗邊方法,其特征在于,所述第一方向及所述第二方向指所述清洗液的實際噴灑方向的水平分量。
6.根據權利要求1所述的晶圓洗邊方法,其特征在于,交替改變清洗液噴灑裝置的朝向,以使所述清洗液交替沿第一方向或第二方向向所述晶圓的邊緣噴灑。
7.根據權利要求6所述的晶圓洗邊方法,其特征在于,沿所述晶圓的圓周方向移動所述清洗液噴灑裝置,以使所述清洗液能夠作用于所述晶圓全部邊緣。
8.根據權利要求7所述的晶圓洗邊方法,其特征在于,所述清洗液噴灑方向的水平分量與所述清洗液噴灑裝置轉動方向的切線方向一致。
9.根據權利要求6所述的晶圓洗邊方法,其特征在于,所述晶圓沿第一方向或者第二方向轉動,以使所述清洗液能夠作用于所述晶圓全部邊緣。
10.根據權利要求9所述的晶圓洗邊方法,其特征在于,所述清洗液噴灑方向的水平分量與所述晶圓轉動方向的切線方向一致。
11.一種晶圓清洗裝置,其特征在于,所述晶圓清洗裝置包括:
清洗液噴灑裝置;
控制裝置,與所述清洗液噴嘴裝置連接,以控制清洗液交替沿第一方向及第二方向向所述晶圓的邊緣噴灑,其中,所述第一方向與所述第二方向為相反的方向。
12.根據權利要求11所述的晶圓清洗裝置,其特征在于,所述控制裝置能夠交替改變清洗液噴灑裝置的朝向,以使所述清洗液交替沿第一方向或第二方向向所述晶圓的邊緣噴灑。
13.根據權利要求11所述的晶圓清洗裝置,其特征在于,所述晶圓置于一承載裝置上,所述控制裝置與所述承載裝置連接,并能夠控制所述承載裝置轉動,進而使所述晶圓相對于清洗液噴灑裝置交替沿第一方向及第二方向轉動,以使清洗液交替沿第一方向及第二方向向所述晶圓的邊緣噴灑。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





