[發(fā)明專利]體聲波諧振器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911288488.1
• 申請(qǐng)日: 2019-12-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112187206A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-01-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李泰京;申蘭姬;孫晉淑;慶濟(jì)弘
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H03H3/02
• 分類號(hào): H03H3/02;H03H9/17;H03H9/02
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 錢海洋;李李

本公開(kāi)提供一種體聲波諧振器，所述體聲波諧振器可包括：基板；諧振部，包括第一電極、壓電層和第二電極，所述第一電極設(shè)置在所述基板上；所述壓電層設(shè)置在所述第一電極上，所述第二電極設(shè)置在所述壓電層上；以及種子層，設(shè)置在所述第一電極的下部。所述種子層可利用具有密排六方(HCP)結(jié)構(gòu)的鈦(Ti)或具有所述HCP結(jié)構(gòu)的Ti的合金形成。所述種子層可具有大于或等于且小于或等于的厚度，或者可比所述第一電極薄。

本申請(qǐng)要求于2019年7月3日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2019-0080123號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)的權(quán)益，該韓國(guó)專利申請(qǐng)的全部公開(kāi)內(nèi)容出于所有目的通過(guò)引用被包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

以下描述涉及一種體聲波諧振器。

背景技術(shù)

根據(jù)無(wú)線通信裝置的小型化趨勢(shì)，需要使高頻組件小型化的技術(shù)。例如，可提供使用半導(dǎo)體薄膜晶圓制造技術(shù)的體聲波(BAW)型濾波器。

BAW諧振器是一種將壓電介電材料沉積在硅晶圓(其為半導(dǎo)體基板)上的薄膜器件。BAW諧振器通過(guò)利用BAW諧振器的壓電特性來(lái)引起諧振實(shí)現(xiàn)為濾波器。

近來(lái)，針對(duì)5G通信的技術(shù)關(guān)注日益增長(zhǎng)，并且正在執(zhí)行對(duì)能夠在候選頻帶中實(shí)現(xiàn)的技術(shù)的開(kāi)發(fā)。

然而，在使用Sub 6GHz(4GHz至6GHz)頻帶的5G通信的情況下，帶寬增大，這縮短了通信距離。在這方面上，信號(hào)強(qiáng)度或功率可增大。此外，當(dāng)頻率增大時(shí)，在壓電層或諧振部中發(fā)生的損耗可能增大。

因此，期望一種能夠承受更高功率并且使在壓電層中發(fā)生的損耗最小化的體聲波諧振器。

發(fā)明內(nèi)容

提供本發(fā)明內(nèi)容以按照簡(jiǎn)化的形式對(duì)所選擇的構(gòu)思進(jìn)行介紹，并在下面的具體實(shí)施方式中進(jìn)一步描述所述構(gòu)思。本發(fā)明內(nèi)容既不意在確定所要求保護(hù)的主題的關(guān)鍵特征或必要特征，也不意在用于幫助確定所要求保護(hù)的主題的范圍。

在一個(gè)總體方面，一種體聲波諧振器包括：基板；諧振部，包括第一電極、壓電層和第二電極，所述第一電極設(shè)置在所述基板上，所述壓電層設(shè)置在所述第一電極上，所述第二電極設(shè)置在所述壓電層上；以及種子層，設(shè)置在所述第一電極的下部。所述種子層利用具有密排六方(HCP)結(jié)構(gòu)的鈦(Ti)或具有所述HCP結(jié)構(gòu)的Ti的合金形成。所述種子層具有大于或等于且小于或等于的厚度，或者所述種子層比所述第一電極薄。

所述壓電層可包含氮化鋁(AlN)或包含鈧(Sc)的AlN。

所述壓電層可利用包含20wt％至40wt％的Sc的氮化鋁形成。

所述第一電極可利用鉬(Mo)形成。

所述體聲波諧振器還可包括插入層，所述插入層部分地設(shè)置在所述諧振部中并且設(shè)置在所述第一電極與所述壓電層之間。所述壓電層可由于所述插入層而部分地隆起。

所述插入層可具有傾斜表面。所述壓電層可具有設(shè)置在所述傾斜表面上的傾斜部。

所述第二電極的端部可設(shè)置在所述傾斜部上。

所述壓電層可包括設(shè)置在所述傾斜部的外側(cè)上的延伸部。所述第二電極的至少一部分可設(shè)置在所述延伸部上。

在另一總體方面，一種體聲波諧振器包括：基板；諧振部，包括第一電極、壓電層和第二電極，所述第一電極設(shè)置在所述基板上，所述壓電層設(shè)置在所述第一電極上，所述第二電極設(shè)置在所述壓電層上；以及阻擋層，設(shè)置在所述壓電層與所述第一電極之間。所述阻擋層利用具有密排六方(HCP)結(jié)構(gòu)的鈦(Ti)或具有所述HCP結(jié)構(gòu)的Ti的合金形成。所述阻擋層具有至的厚度。

所述壓電層可包括氮化鋁(AlN)或包含鈧(Sc)的AlN。

所述壓電層可利用包括20wt％至40wt％的Sc的氮化鋁形成。