[發明專利]體聲波諧振器

在審

• 申請號: 201911288488.1
• 申請日: 2019-12-12
• 公開（公告）號: CN112187206A
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發明（設計）人: 李泰京;申蘭姬;孫晉淑;慶濟弘
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H03H3/02
• 分類號: H03H3/02;H03H9/17;H03H9/02
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 錢海洋;李李

1.一種體聲波諧振器，包括：

基板；

諧振部，包括：第一電極，設置在所述基板上；壓電層，設置在所述第一電極上；以及第二電極，設置在所述壓電層上；以及

種子層，設置在所述第一電極的下部；

其中，所述種子層利用具有密排六方結構的鈦或具有所述密排六方結構的鈦的合金形成，并且

其中，所述種子層具有大于或等于且小于或等于的厚度，或者所述種子層比所述第一電極薄。

2.根據權利要求1所述的體聲波諧振器，其中，所述壓電層包含氮化鋁或包含鈧的氮化鋁。

3.根據權利要求2所述的體聲波諧振器，其中，所述壓電層利用包含20wt％至40wt％的鈧的氮化鋁形成。

4.根據權利要求1所述的體聲波諧振器，其中，所述第一電極利用鉬形成。

5.根據權利要求1所述的體聲波諧振器，所述體聲波諧振器還包括插入層，所述插入層部分地設置在所述諧振部中并且設置在所述第一電極與所述壓電層之間，

其中，所述壓電層由于所述插入層而部分地隆起。

6.根據權利要求5所述的體聲波諧振器，其中，所述插入層包括傾斜表面，并且所述壓電層包括設置在所述傾斜表面上的傾斜部。

7.根據權利要求6所述的體聲波諧振器，其中，所述第二電極的端部設置在所述傾斜部上。

8.根據權利要求6所述的體聲波諧振器，其中，所述壓電層包括設置在所述傾斜部的外側上的延伸部，并且所述第二電極的至少一部分設置在所述延伸部上。

9.一種體聲波諧振器，包括：

基板；

諧振部，包括：第一電極，設置在所述基板上；壓電層，設置在所述第一電極上；以及第二電極設置在所述壓電層上；以及

阻擋層，設置在所述壓電層與所述第一電極之間，

其中，所述阻擋層利用具有密排六方結構的鈦或具有所述密排六方結構的鈦的合金形成，并且

其中，所述阻擋層具有至的厚度。

10.根據權利要求9所述的體聲波諧振器，其中，所述壓電層包含氮化鋁或包含鈧的氮化鋁。

11.根據權利要求10所述的體聲波諧振器，所述壓電層利用包含20wt％至40wt％的鈧的氮化鋁形成。

12.根據權利要求9所述的體聲波諧振器，其中，所述第一電極利用鉬形成。

13.根據權利要求9所述的體聲波諧振器，所述體聲波諧振器還包括插入層，所述插入層部分地設置在所述諧振部中并且設置在所述第一電極與所述壓電層之間，并且

其中，所述壓電層由于所述插入層而部分地隆起。

14.一種體聲波諧振器，包括：

基板；

諧振部，包括：第一電極，設置在所述基板上；壓電層，設置在所述第一電極上；以及第二電極，設置在所述壓電層上；

種子層，設置在所述第一電極的下部；以及

阻擋層，設置在所述壓電層與所述第一電極之間，

其中，所述種子層和所述阻擋層利用具有密排六方結構的鈦或具有所述密排六方結構的鈦的合金形成。

15.根據權利要求14所述的體聲波諧振器，其中，所述種子層的厚度為至

16.根據權利要求15所述的體聲波諧振器，其中，所述阻擋層的厚度為至

17.根據權利要求14所述的體聲波諧振器，其中，所述阻擋層的厚度為至

18.根據權利要求14所述的體聲波諧振器，所述體聲波諧振器還包括插入層，所述插入層部分地設置在所述諧振部中并且設置在所述第一電極與所述壓電層之間，

其中，所述壓電層由于所述插入層而部分地隆起。