[發明專利]半導體設備封裝和其制造方法在審
| 申請號: | 201911285839.3 | 申請日: | 2019-12-13 |
| 公開(公告)號: | CN112635455A | 公開(公告)日: | 2021-04-09 |
| 發明(設計)人: | 方緒南;莊淳鈞 | 申請(專利權)人: | 日月光半導體制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/18 | 分類號: | H01L25/18;H01L25/065;H01L23/488;H01L23/31;H01L21/98 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 蕭輔寬 |
| 地址: | 中國臺灣高雄市楠梓*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體設備 封裝 制造 方法 | ||
1.一種半導體設備封裝,其包括:
第一電子組件,所述第一電子組件具有第一主動表面;
多個第一導電跡線,所述第一導電跡線安置在所述第一主動表面上并且電連接到所述第一主動表面;
第二電子組件,所述第二電子組件堆疊在所述第一電子組件上,所述第二電子組件具有面向所述第一主動表面的非主動表面、與所述非主動表面相反的第二主動表面以及連接所述第二主動表面和所述非主動表面的至少一個側面;
多個第二導電跡線,所述第二導電跡線電連接到所述第二主動表面并且從所述第二主動表面延伸到所述側面;以及
多個第一導電結構,所述第一導電結構分別將所述第二導電跡線電連接到所述第一導電跡線。
2.根據權利要求1所述的半導體設備封裝,其中所述第一電子組件的所述第一主動表面通過所述第二電子組件部分暴露。
3.根據權利要求2所述的半導體設備封裝,其中所述第一導電結構安置在所述第一電子組件的所述第一主動表面與所述第二電子組件的所述側面之間的接合角處。
4.根據權利要求1所述的半導體設備封裝,其中所述第二導電跡線從所述側面進一步延伸到所述第二電子組件的所述非主動表面。
5.根據權利要求4所述的半導體設備封裝,其中所述第一導電結構安置在所述第二電子組件的所述非主動表面與所述第一電子組件的所述主動表面之間。
6.根據權利要求1所述的半導體設備封裝,其中所述第二導電跡線中的一部分從所述第二主動表面延伸到所述第二電子組件的所述至少一個側面中的一個側面,并且所述第二導電跡線中的另一部分從所述第二主動表面延伸到所述第二電子組件的所述至少一個側面中的另一個側面。
7.根據權利要求1所述的半導體設備封裝,其進一步包括包封層,所述包封層包封所述第一電子組件和所述第二電子組件。
8.根據權利要求1所述的半導體設備封裝,其進一步包括電路層,所述第一電子組件安置在所述電路層上。
9.根據權利要求8所述的半導體設備封裝,其中所述第一電子組件包含至少一個側面,并且所述第一導電跡線進一步延伸到所述第一電子組件的所述側面并且電連接所述電路層。
10.根據權利要求1所述的半導體設備封裝,其中所述第一電子組件包括電路層,并且所述第二電子組件包括半導體管芯。
11.根據權利要求10所述的半導體設備封裝,其進一步包括包封層,所述包封層包封所述半導體管芯。
12.根據權利要求1所述的半導體設備封裝,其中所述第一導電結構包括可流動導電材料。
13.根據權利要求1所述的半導體設備封裝,其中所述第一導電結構包括導電凸點。
14.根據權利要求1所述的半導體設備封裝,其中所述第一導電結構包括各向異性導電膜ACF。
15.根據權利要求1所述的半導體設備封裝,其中所述第一電子組件包含從所述第一主動表面暴露的多個第一接觸端子,所述第一導電跡線電連接到所述第一接觸端子,所述第二電子組件包含從所述第二主動表面暴露的多個第二接觸端子,并且所述第二導電跡線電連接到所述第二接觸端子。
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