[發明專利]絕緣體上鰭片的制造方法

在審

• 申請號: 201911282038.1
• 申請日: 2019-12-13
• 公開（公告）號: CN112992681A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: 李云芳
• 申請（專利權）人: 李云芳
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/762
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種絕緣體上鰭片的制造方法，包括：

在襯底上形成鰭片；

在鰭片側壁上形成側墻；

各向異性刻蝕襯底，在鰭片下方留下底部結構；各向同

性刻蝕襯底，減小底部結構寬度；

對底部結構執行氧化或氮化工藝，使其轉變為氧化物或氮化物絕緣體。

2.如權利要求1所述的方法，其中，襯底材質選自Si、Ge、SOI、GeOI、應變硅、SiGe、GaN、GaAs、InP、InSb、石墨烯、SiC、碳納管的任一及其組合。

3.如權利要求1所述的方法，其中，形成側墻的步驟進一步包括：在襯底和鰭片上形成保護層；

各向異性刻蝕保護層，去除襯底和鰭片頂部的保護層，僅在鰭片側壁上留下側墻。

4.如權利要求1所述的方法，其中，側墻材質選自氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、類金剛石無定形碳的任一及其組合。

5.如權利要求1所述的方法，其中，各向同性刻蝕之后，底部結構寬度為鰭片寬度的2/3～1/2。

6.如權利要求1所述的方法，其中，氧化或氮化工藝包括熱氧化、化學氧化或氮化、等離子氧化或氮化、氣相氧化或氮化，或者傾斜注入氧或氮之后退火使其氧化或氮化。

7.如權利要求1所述的方法，其中，控制氧化或氮化工藝參數，使得底部結構完全氧化或氮化而轉變為絕緣體。

8.如權利要求1所述的方法，其中，增加氧化或氮化工藝時間，使得襯底頂部被局部氧化或氮化以與絕緣體相接。

9.如權利要求1所述的方法，其中，各向同性和/或各向異性刻蝕工藝為等離子體干法刻蝕或者RIE。

10.如權利要求9所述的方法，其中，刻蝕氣體選自NF₃、SF₆、CF₄、CH₂F₂、CH₃F、CHF₃、Cl₂。