[發明專利]實現雙方向并行數據讀取的非揮發存儲陣列

有效

• 申請號: 201911279800.0
• 申請日: 2019-12-12
• 公開（公告）號: CN111028876B
• 公開（公告）日: 2021-11-12
• 發明（設計）人: 竇春萌;劉璟;劉琦;呂杭炳;劉明
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 吳夢圓

1.一種實現雙方向并行數據讀取的非揮發存儲陣列，其特征在于，包括：

存儲單元陣列，每列的各個所述存儲單元間通過各個所述存儲單元的源線和第一位線連通，每行的各個所述存儲單元間通過各個所述存儲單元的第一字線和第二位線連通；其中，每個所述存儲單元包括：

第一晶體管，其源極連接至所述源線，其柵極連接至所述第一字線；

阻變單元，其一端與所述第一晶體管的漏極實現串聯連接，連接點作為分壓點，另一端連接至所述第一位線；以及

第二晶體管，其柵極連接至所述分壓點，漏極連接至所述第二位線，其源極接地；

所述第一晶體管與所述阻變單元實現電阻分壓；以及

讀取電路模塊，連接每列的所述第一位線和每行的所述第二位線，實現數據讀出。

2.根據權利要求1所述的非揮發存儲陣列，其特征在于，還包括：

每行的各個所述存儲單元中具有第二字線互相連通，并連接至電壓；或

每列的各個所述存儲單元中具有第二字線互相連通，并連接至電壓。

3.根據權利要求1所述的非揮發存儲陣列，其特征在于，各個所述存儲單元中，所述第一晶體管的源極連接至所述源線，所述第一晶體管的柵極連接至第一字線，所述阻變單元的另一端連接至所述第一位線。

4.根據權利要求3所述的非揮發存儲陣列，其特征在于，各個所述存儲單元中，所述第二晶體管的漏極連接至所述第二位線。

5.根據權利要求4所述的非揮發存儲陣列，其特征在于，各個所述存儲單元中，所述第二晶體管的源極接地。

6.根據權利要求5所述的非揮發存儲陣列，其特征在于，各個所述存儲單元中，所述源極 接地，所述第一字線連接至電壓，所述第一位線和所述第二位線分別連接至讀電壓。

7.根據權利要求6所述的非揮發存儲陣列，其特征在于，所述存儲單元還包括：

第N晶體管，所述第N晶體管與所述第N-1晶體管串聯連接，其中，N為大于2的整數。

8.根據權利要求7所述的非揮發存儲陣列，其特征在于，各個所述存儲單元中，所述第N晶體管的源極連接至所述第N-1晶體管的漏極，且所述第N晶體管的漏極連接至所述第二位線。

9.根據權利要求8所述的非揮發存儲陣列，其特征在于，各個所述存儲單元中，所述第N晶體管的柵極連接至所述第二字線。