[發明專利]分離型等離子體源線圈及其控制方法

在審

• 申請號: 201911279282.2
• 申請日: 2019-12-13
• 公開（公告）號: CN112242288A
• 公開（公告）日: 2021-01-19
• 發明（設計）人: 李相雨
• 申請（專利權）人: 自適應等離子體技術公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H05H1/46
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 崔龍鉉;李新娜

本發明涉及一種分離型等離子體源線圈及其控制方法。分離型等離子體源線圈包括：中心線圈組(11)，設置在線圈中心(13)的外圍，并且由至少一個線型中心線圈(11_1至11_K)組成；以及邊緣線圈組(12)，設置在中心線圈組(11)的外圍，并且由至少一個線型邊緣線圈(12_1至12_L)組成。

技術領域

本發明涉及一種分離型等離子體源線圈及其控制方法，具體地，涉及一種中心線圈和邊緣線圈彼此分離的分離型等離子體源線圈及其控制方法。

背景技術

隨著半導體工藝的微細化和高度化，確保工藝結果均勻性(uniformity)的必要性逐漸增加。在由多個工藝過程組成的半導體工藝中，需要在各工藝過程中防止誤差，以確保整體工藝的均勻性。例如，在蝕刻工藝(etching)中，需要使腔室內的等離子體的密度分布均勻，其對蝕刻率的均勻性或臨界線寬的均勻性造成影響。可根據各種參數來確定腔室內部的等離子體密度，例如，等離子體源線圈可以是影響等離子體的密度分布的因素。因此，需要將等離子體源線圈制造為可以在腔室內部形成均勻的等離子體密度分布的結構，并且優選使其具有可補償發生誤差的原因的結構。專利授權號10-0519677中公開了一種可靠性高且適合大量生產的等離子體線圈的制造方法。在WO2013/062929中公開了一種有效控制在等離子體處理中的不均勻性的等離子體處理裝置。另外，WO2017/189234中公開了一種可通過提供高密度等離子體離子來提高半導體處理性能和生產性的VHF(甚高頻)Z-線圈等離子體源。為了確保從等離子體源線圈產生的等離子體的均勻性，需要優先使其具有穩定的結構。與此同時，還需要一種裝置，例如，當發生傾斜度或高度偏差時，可以有效地對其進行補償。但是，現有技術沒有公開如上所述的結構或裝置。

本發明是為了解決現有技術的問題點而提出，其具有如下所述的目的。

現有技術文獻

(專利文獻1)專利授權號10-0519677(Adaptive Plasma Technology Co.Ltd.，2005.10.13公告)，用于等離子體腔室的等離子體源線圈的制造方法

(專利文獻2)WO 2013/062929(應用材料股份有限公司，2013.05.02公開)，具有相位控制的高效率三重線圈電感耦合型等離子體源

(專利文獻3)WO 2017/189234(Retro-Semi Technologies.LLc.，2017.11.02公開)，VHF Z-線圈等離子體源

發明內容

(一)要解決的技術問題

本發明的目的在于，提供一種彼此分離設置在至少兩個區域并且可調節傾斜度和高度的分離型等離子體源線圈及其控制方法。

(二)技術方案

根據本發明的優選實施方式，分離型等離子體源線圈包括：中心線圈組，設置在線圈中心的外圍，并且由至少一個線型中心線圈組成；以及邊緣線圈組，設置在中心線圈組的外圍，并且由至少一個線型邊緣線圈組成。

根據本發明的另一優選實施方式，至少一個線型中心線圈或至少一個線型邊緣線圈延伸為螺旋形狀。

根據本發明的又一優選實施方式，至少一個線型中心線圈或至少一個線型邊緣線圈的延伸為螺旋形狀的圓周角為270度以上。

根據本發明的又一優選實施方式，可以同時或單獨地調節中心線圈組或邊緣線圈組的傾斜度或高度。

根據本發明的又一優選實施方式，分離型等離子體源線圈包括至少一個調節裝置，其用于調節中心線圈組或邊緣線圈組的高度或傾斜度。