[發(fā)明專利]液體供應(yīng)組件以及晶圓處理系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911275184.1 | 申請(qǐng)日: | 2019-12-12 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111326453B | 公開(公告)日: | 2023-05-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 樸英植 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 夏泰鑫半導(dǎo)體(青島)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司: | 深圳市賽恩倍吉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44334 | 代理人: | 彭輝劍;龔慧惠 |
| 地址: | 266000 山東省青島市黃島區(qū)*** | 國(guó)省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 液體 供應(yīng) 組件 以及 處理 系統(tǒng) | ||
本發(fā)明提供了一種液體供應(yīng)組件。液體供應(yīng)組件包括接收部分、分散部分和兩個(gè)流量控制器。所述兩個(gè)流量控制器連接在接收部分和分散部分之間。分散部分上形成了多個(gè)穿孔。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種晶圓處理系統(tǒng),尤其涉及一種控制蝕刻劑在蝕刻槽中的分散的晶圓處理系統(tǒng)。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體晶圓蝕刻中,蝕刻速率定義為每單位時(shí)間在晶圓上的蝕刻深度,蝕刻均勻性指示晶圓上蝕刻速率的變化。對(duì)于濕蝕刻,晶圓浸泡在充滿蝕刻劑的蝕刻槽中;濕蝕刻的蝕刻均勻性可能受到溫度、濃度和蝕刻劑的其他因素的影響。較差的蝕刻均勻性將對(duì)所得晶圓的質(zhì)量產(chǎn)生負(fù)面影響。
發(fā)明內(nèi)容
以下呈現(xiàn)本發(fā)明實(shí)施例的概述,以便提供對(duì)本發(fā)明至少一些例子的基本理解。該概述不是本發(fā)明內(nèi)容的廣泛概述。其目的不是為了識(shí)別本公開的關(guān)鍵或關(guān)鍵要素,也不是為了描繪本公開的范圍。以下概述僅以一般形式呈現(xiàn)本公開的一些概念,作為以下提供的更詳細(xì)描述的序言。
在一個(gè)示例中,液體供應(yīng)組件包括接收部分、分散部分和兩個(gè)流量控制器。所述兩個(gè)流量控制器連接在接收部分和分散部分之間。分散部分上形成了多個(gè)穿孔。
在另一示例中,晶圓處理系統(tǒng)包括晶圓處理容器和液體供應(yīng)組件。液體供應(yīng)組件被配置為將液體分散在晶圓處理容器中。液體供應(yīng)組件包括接收部分、分散部分和兩個(gè)流量控制器。所述兩個(gè)流量控制器連接在接收部分和分散部分之間。分散部分上形成了多個(gè)穿孔。
在另一個(gè)示例中,提供了一種用于在晶圓處理容器中供應(yīng)液體的方法。該方法包括步驟:提供包括接收部分、分散部分和兩個(gè)流量控制器的液體供應(yīng)組件,其中在分散部分上形成多個(gè)穿孔;以及對(duì)兩個(gè)流量控制器執(zhí)行操作。
在下面的附圖和描述中闡述一個(gè)或多個(gè)示例的細(xì)節(jié)。
附圖說(shuō)明
附圖說(shuō)明了本公開的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例,并且與書面描述一起解釋了本發(fā)明的原理。在可能的情況下,貫穿附圖使用相同的附圖標(biāo)記來(lái)指定實(shí)施例的相同或相似的元件。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的液體供應(yīng)組件的俯視圖。
圖2是具有圖1中的液體供應(yīng)組件的晶圓處理系統(tǒng)的側(cè)視圖。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的具有以第一模式操作的液體供應(yīng)組件的晶圓處理系統(tǒng)的俯視圖。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的具有以第二模式操作的液體供應(yīng)組件的晶圓處理系統(tǒng)的俯視圖。
圖5是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的具有以第一模式操作的一對(duì)液體供應(yīng)設(shè)備的晶圓處理系統(tǒng)的俯視圖。
圖6是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有以第二模式操作的一對(duì)液體供應(yīng)設(shè)備的晶圓處理系統(tǒng)的俯視圖。
具體實(shí)施方式
為了便于理解本發(fā)明的各種實(shí)施例的原理和特征,下面解釋各種說(shuō)明性實(shí)施例。雖然詳細(xì)說(shuō)明了本發(fā)明的示例性實(shí)施例,但是應(yīng)當(dāng)理解,還可以考慮其他實(shí)施例。因此,本發(fā)明并不意在其范圍限于在以下描述中闡述或在附圖中說(shuō)明的組件的排列和構(gòu)造的細(xì)節(jié)。本發(fā)明能夠使用其他實(shí)施例,并且能夠以各種方式進(jìn)行實(shí)踐或?qū)崿F(xiàn)。
圖1示出了本發(fā)明的一實(shí)施例的液體供應(yīng)組件100的俯視圖。液體供應(yīng)組件100包括接收部分111、分散部分112、第一流量控制器141、第二流量控制器142和噴嘴130。分散部分112可以是一根管子或一個(gè)筒。液體供應(yīng)組件100的整體形狀可以是矩形、圓形、橢圓形或八角形。第一流量控制器141和第二流量控制器142中的每一個(gè)都包含一個(gè)閥。接收部分111被配置為連接到第一流控制器141和第二流控制器142的端口。接收部分112被配置為連接到第一流控制器141和第二流控制器142的端口。換句話說(shuō),接收部分111和分散部分112由第一流控制器141和第二流控制器142分開。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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