[發明專利]微晶玻璃及其生產方法和應用

在審

• 申請號: 201911269768.8
• 申請日: 2019-12-11
• 公開（公告）號: CN112939435A
• 公開（公告）日: 2021-06-11
• 發明（設計）人: 戴佳衛;黎展宏;歐陽辰鑫;劉再進;宮汝華;何根;陳佳佳;梁雅瓊;沈于喬
• 申請（專利權）人: 四川旭虹光電科技有限公司;華為技術有限公司
• 主分類號: C03B32/02
• 分類號: C03B32/02;C03C10/10
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 劉依云;喬雪微

1.一種生產微晶玻璃的方法，其特征在于，包括：將原玻璃體進行微晶化處理，所述微晶化處理包括：

(1)升溫：將原玻璃體從起始溫度以升溫速率V_T1升溫至核化溫度；

(2)核化：在核化溫度下進行核化；

(3)過渡期：從核化溫度以升溫速率V_g升溫至晶化溫度；

(4)晶化：在晶化溫度下進行晶化；

(5)降溫：從晶化溫度開始降溫；

其中，所述核化溫度為550-640℃，所述晶化溫度為640-750℃；

優選地，所述原玻璃體的厚度t為0.3-1mm。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述原玻璃體的厚度t滿足0.6mm≤t≤1mm，所述升溫速率V_T1滿足V_T1＝n/(0.25t²)℃/min，其中n＝3.5-4.5。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述原玻璃體的厚度t滿足t0.6mm，所述升溫速率V_T1為25-55℃/min。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述降溫包括兩個階段，慢速降溫階段和快速降溫階段；

優選地，所述原玻璃體的厚度t滿足0.6mm≤t≤1mm，在慢速降溫階段的降溫速率V_M1滿足V_M1＝m₁/(0.25t²)℃/min其中m₁＝2.5-3.5，在快速降溫階段的降溫速率V_M2滿足V_M2＝m₂/(0.25t²)℃/min，其中m₂＝5.5-6.5；

優選地，所述原玻璃體的厚度t滿足t0.6mm，在慢速降溫階段的降溫速率V_M1為20-45℃/min，在快速降溫階段的降溫速率V_M2為50-80℃/min；

優選地，所述慢速降溫階段的最終溫度為415-430℃；

優選地，所述快速降溫階段的最終溫度小于100℃。

5.根據權利要求1-4中任意一項所述的方法，其特征在于，核化溫度為560-620℃，核化時間為2-7h，優選為4-6h；

優選地，晶化溫度為650-720℃，晶化時間為0.2-4h，優選為0.5-2h。

6.根據權利要求1-5中任意一項所述的方法，其特征在于，所述過渡期的升溫速率V_g為10-20℃/min。

7.根據權利要求1-6中任意一項所述的方法，其特征在于，所述微晶化處理在析晶裝置中進行，所述析晶裝置至少包括升溫區、核化區、過渡區、晶化區和降溫區；

優選地，將所述原玻璃體引入析晶裝置在載板上進行微晶化處理；

優選地，所述載板的材料選自石墨、氧化鋁陶瓷、石英、碳化硅、氮化鋁和堇青莫來石中的至少一種，優選為石墨或碳化硅；

優選地，所述載板的表面粗糙度Ra小于0.2μm，優選為小于0.05μm，更優選為小于0.025μm；

優選地，所述微晶化處理在保護氣體氣氛下進行；

優選地，所述保護氣體為純氦氣、純氮氣，或者氦氣與氮氣的混合物；

優選地，所述保護氣體的純凈度99.999體積％，所述保護氣體氣氛中O₂、SO₂、CO₂的體積含量之和小于10ppm。