[發(fā)明專(zhuān)利]鈣鈦礦發(fā)光器件及其制備方法、顯示裝置和鈣鈦礦溶液

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911268695.0
• 申請(qǐng)日: 2019-12-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111063830B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-02-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳永偉
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H10K85/10
• 分類(lèi)號(hào): H10K85/10;H10K85/30;H10K71/00;H10K50/11
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 遠(yuǎn)明

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N鈣鈦礦發(fā)光器件及其制備方法、顯示裝置和鈣鈦礦溶液。鈣鈦礦發(fā)光器件包括陽(yáng)極層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極層。所述空穴傳輸層設(shè)置于所述陽(yáng)極層上。所述發(fā)光層設(shè)置于所述空穴傳輸層上。所述發(fā)光層包括鈣鈦礦薄膜。所述電子傳輸層設(shè)置于所述發(fā)光層上。所述陰極層設(shè)置于所述電子傳輸層上。所述鈣鈦礦薄膜包括鈣鈦礦、溶劑和聚合物。所述聚合物包覆所述鈣鈦礦。所述鈣鈦礦的化學(xué)式為A₂B_n?1C_nX_3n+1，其中，n≥1，所述n為正整數(shù)。通過(guò)將鈣鈦礦和聚合物應(yīng)用于鈣鈦礦發(fā)光器件中，使得鈣鈦礦薄膜可以大面積制備，進(jìn)而降低生產(chǎn)成本，并因所述聚合物包覆所述鈣鈦礦，保護(hù)了鈣鈦礦，進(jìn)而提高了鈣鈦礦發(fā)光器件的性能。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及發(fā)光領(lǐng)域，具體涉及一種鈣鈦礦發(fā)光器件及其制備方法、顯示裝置和鈣鈦礦溶液。

背景技術(shù)

已知的鈣鈦礦薄膜被用于發(fā)光器件中，在現(xiàn)有技術(shù)的鈣鈦礦發(fā)光器件的制備中，因鈣鈦礦溶液在空氣中不穩(wěn)定，造成所制備的鈣鈦礦薄膜具有缺陷，進(jìn)而影響了鈣鈦礦發(fā)光器件的性能。

另外，通常所采用的制備方式不能大面積制備鈣鈦礦薄膜，且因鈣鈦礦溶液在空氣中不穩(wěn)定，在制備鈣鈦礦薄膜時(shí)需在惰性氣體氛圍中進(jìn)行，使得鈣鈦礦器件的制備工序繁瑣，且生產(chǎn)成本增加。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N鈣鈦礦發(fā)光器件及其制備方法、顯示裝置和鈣鈦礦溶液，以提高鈣鈦礦發(fā)光器件的性能，并降低生產(chǎn)成本。

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N鈣鈦礦發(fā)光器件，包括：

陽(yáng)極層；

空穴傳輸層，所述空穴傳輸層設(shè)置于所述陽(yáng)極層上；

發(fā)光層，所述發(fā)光層設(shè)置于所述空穴傳輸層上，所述發(fā)光層包括鈣鈦礦薄膜；

電子傳輸層，所述電子傳輸層設(shè)置于所述發(fā)光層上；

陰極層，所述陰極層設(shè)置于所述電子傳輸層上；

所述鈣鈦礦薄膜包括鈣鈦礦和聚合物，所述聚合物包覆所述鈣鈦礦，所述鈣鈦礦的化學(xué)式為A₂B_n-1C_nX_3n+1，其中，n≥1，所述n為正整數(shù)，所述A選自R₁-NH₃⁺、R₂-NH₃⁺和D-R₃-NH₃⁺中的一種或多種，所述R₁為C₆-C₂₀的芳香基，所述R₂為C₁-C₂₀的烷基，所述R₃為C₆-C₂₀的芳香基，所述D包括-F、-Cl、-Br和-I中的一種或多種，所述B選自R₄-NH₃⁺、NH₂-R₅＝NH₂⁺、Cs⁺和Rb⁺中的一種或多種，所述R₄為C₁-C₂₀的烷基，所述R₅為C₁-C₂₀的烴基，所述C選自Pb²⁺和Sn²⁺中的一種或兩種，所述X包括-F、-Cl、-Br和-I中的一種或多種，所述聚合物為高分子聚合物。

在本申請(qǐng)所提供的鈣鈦礦發(fā)光器件中，所述高分子聚合物包括環(huán)氧樹(shù)脂、聚氨酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯、聚砜、酚醛樹(shù)脂、聚苯硫醚、聚丙烯酸酯和乙烯-醋酸乙烯共聚物中的一種或幾種。