[發(fā)明專利]鈣鈦礦發(fā)光器件及其制備方法、顯示裝置和鈣鈦礦溶液

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911268695.0
• 申請日: 2019-12-11
• 公開（公告）號: CN111063830B
• 公開（公告）日: 2023-02-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳永偉
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H10K85/10
• 分類號: H10K85/10;H10K85/30;H10K71/00;H10K50/11
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 遠明

1.一種鈣鈦礦發(fā)光器件，其特征在于，包括：

陽極層；

空穴傳輸層，所述空穴傳輸層設(shè)置于所述陽極層上；

發(fā)光層，所述發(fā)光層設(shè)置于所述空穴傳輸層上，所述發(fā)光層包括鈣鈦礦薄膜；電子傳輸層，所述電子傳輸層設(shè)置于所述發(fā)光層上；

陰極層，所述陰極層設(shè)置于所述電子傳輸層上；

所述鈣鈦礦薄膜包括鈣鈦礦和聚合物，所述聚合物包覆所述鈣鈦礦，所述鈣鈦礦的化學式為A₂B_n-1C_nX_3n+1，其中，所述n的范圍滿足1n≤100，所述n為正整數(shù)，所述A選自D-R₃-NH₃⁺，所述R₃為C₆-C₂₀的芳香基，所述D選自-F、-Cl、-Br和-I中的一種或多種，所述B選自NH₂-R₅＝NH₂⁺、Cs⁺或Rb⁺，所述R₅為C₁-C₂₀的烴基，所述C選自Sn²⁺，所述X包括-F、-Cl、-Br和-I中的一種或多種，所述聚合物為高分子聚合物；

其中，所述高分子聚合物包括環(huán)氧樹脂、聚氨酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯、聚砜、酚醛樹脂、聚苯硫醚、聚丙烯酸酯和乙烯-醋酸乙烯共聚物中的一種或幾種，所述聚合物的聚合度為100～1000。

2.如權(quán)利要求1所述鈣鈦礦發(fā)光器件，其特征在于，所述D-R₃-NH₃⁺為鹵代苯乙胺離子，所述NH₂-R₅＝NH₂⁺為甲脒離子。

3.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-2任一項所述的鈣鈦礦發(fā)光器件。

4.一種鈣鈦礦發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述鈣鈦礦發(fā)光器件形成在一基板上，所述鈣鈦礦發(fā)光器件的制備方法包括:

提供一基板，在所述基板上形成陽極層，在所述陽極層上形成空穴傳輸層；

在所述空穴傳輸層上形成發(fā)光層，所述發(fā)光層包括鈣鈦礦薄膜，所述鈣鈦礦薄膜包括鈣鈦礦和聚合物，所述聚合物包覆所述鈣鈦礦，所述鈣鈦礦的化學式為A₂B_n-1C_nX_3n+1，其中，所述n的范圍滿足1n≤100，所述n為正整數(shù)，所述A選自D-R₃-NH₃⁺，所述R₃為C₆-C₂₀的芳香基，所述D選自-F、-Cl、-Br和-I中的一種或多種，所述B選自NH₂-R₅＝NH₂⁺、Cs⁺或Rb⁺，所述R₅為C₁-C₂₀的烴基，所述C選自Sn²⁺，所述X包括-F、-Cl、-Br和-I中的一種或多種，所述聚合物為高分子聚合物；

在所述發(fā)光層上形成電子傳輸層及陰極層；

其中，所述高分子聚合物包括環(huán)氧樹脂、聚氨酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯、聚砜、酚醛樹脂、聚苯硫醚、聚丙烯酸酯和乙烯-醋酸乙烯共聚物中的一種或幾種，所述聚合物的聚合度為100～1000。

5.如權(quán)利要求4所述的鈣鈦礦發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述在空穴傳輸層上形成發(fā)光層的步驟中，包括：

在所述空穴傳輸上采用刮涂法涂布鈣鈦礦溶液，形成發(fā)光層。